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以工艺窗口建模探索路径：使用虚拟制造评估先进DRAM电容器图形化的工艺窗口
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Molex莫仕公布全球可靠性和硬件设计调研结果
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硅谷：设计师利用生成式 AI 辅助芯片设计
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新思科技与Arm持续深化合作，加速先进节点定制芯片设计
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新思科技携手台积公司简化多裸晶系统复杂性，推出面向台积公司N3E工艺的“从架构探索到签核” 统一设计平台和经验证的UCIe IP
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新思科技携手是德科技、Ansys面向台积公司4 纳米射频FinFET工艺推出全新参考流程，助力加速射频芯片设计
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全新合作联盟：IAR与Edge Impulse联手为全球客户提供AI与ML整合功能
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极速智能，创见未来 2023芯和半导体用户大会顺利召开
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新思科技提供跨台积公司先进工艺的参考流程，助力加速模拟设计迁移
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使用半大马士革工艺流程研究后段器件集成的工艺
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新思科技携手台积公司加速2nm工艺创新，为先进SoC设计提供经认证的数字和模拟设计流程
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“Arm 全面设计”借助生态系统之力，拥抱 Arm 定制芯片时代
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e络盟将携手NI举办网络研讨会，带您了解LabVIEW
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多维演进，合见工软重磅发布多款国产自研新一代EDA工具与IP解决方案
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新思科技PCIe 6.0 IP与英特尔PCIe 6.0测试芯片实现互操作
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是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程，助力RFIC半导体设计加速发展
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合见工软：国产EDA新玩家助力中国IC产业之崛起
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