利用 TI IWR6243 毫米波雷达和 NVIDIA Holoscan 平台上的摄像头实现实时 AI 原始传感器融合
06月12日 18:17
英飞凌推出高性能TMR技术，扩展XENSIV磁传感器产品组合
06月12日 18:06
Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流，铁芯损耗降低20%
06月12日 18:04
借助安全事项应用笔记实现安全设计——第4部分：使用功能安全型器件
06月12日 18:01
罗德与施瓦茨携手Greenerwave推出基于近场技术实现精确的快速电控阵列天线测量
06月12日 17:57
中国科大首次实现14.2公里自由空间双场量子密钥分发！ 赋同量子SNSPD核心助力实验
06月12日 15:03
AI Agent狂潮引发Enterprise SSD供应紧张，第一季前五大Enterprise SSD品牌营收突破184.6亿美元创新高
06月12日 10:35
突破材料微缩极限！东京大学团队成功制备1纳米单壁二硫化钼半导体纳米管
06月12日 10:29
英飞凌推出OptiMOS 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用
06月11日 17:21
英飞凌推出CoolSET SiP系列新品，扩展输出功率范围，助力满足欧盟能效法规
06月11日 17:16
借助安全事项应用笔记实现安全设计——第3部分：提升功能安全性能
06月11日 17:13
TI 推出业界高电芯数量、支持 EIS 的电池监测器，为电池管理系统注入智能
06月11日 17:05
Molex 莫仕公布多通道液冷母排能力 为下一代 AI 数据中心提供动力
06月11日 17:03
泰克高压差分探头家族迎来新成员：THDP0400助力高压高速功率测试
06月11日 17:00
DigiKey 推出越南官网，进一步强化其对亚洲电子产业的承诺
06月11日 10:59
英伟达下调Vera CPU搭载容量，凸显LPDRAM供给缺口难以缓解，且中长期需求呈上扬趋势
06月11日 10:52
Counterpoint发布2026年1季度全球DRAM和HBM市场份额占比
06月11日 10:33
AI 需求推动全球 NAND 存储市场爆发式增长，2026 年 Q1 营收达 460 亿美元历史新高
06月11日 10:11
英飞凌推出面向 AI 数据中心电源设计的 EiceDRIVER 2EDL90xG3驱动芯片，适用于硅基与氮化镓器件设计，封装兼容
06月10日 16:44
安森美发布GaNEXUS氮化镓功率产品组合
06月10日 16:42
碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
06月10日 16:38
打造智能照明创新范式，大联大世平集团携手ams OSRAM深度解析EVIYOS前沿应用方案
06月10日 16:30
聚焦车载SerDes，R&S推出全新ASA Motion Link一致性测试解决方案
06月10日 16:28
Wolfspeed 发布新一代技术，推出业界最低导通电阻的碳化硅 MOSFET
06月10日 16:25
兆易创新推出全新光模块专用MCU，聚力光互联产业升级
06月10日 16:23
借助安全事项应用笔记实现安全设计——第2部分：FMEDA数据导入
06月10日 16:18
纳芯微推出通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证最高Class III等级、全国产化的CAN收发器NCA1043D-Q1
06月10日 16:13
工信部：有序推进城域400Gbps及以上、全光交叉等高速光传输系统设备应用
06月10日 16:07
Arm披露高危CPU提权漏洞，影响英伟达Vera CPU等
06月10日 16:04
第一季全球智能手机生产总数年减1.7%，存储器成本压力将使第二季出现较明显衰退
06月10日 10:12
©电子工程网 访问电脑版