三星与SK海力士争夺EUV交付排期 各自投入或达20万亿韩元

11月10日，据韩媒ChosunBiz报道，三星电子与SK海力士正竞相下单采购阿斯麦（ASML）的极紫外（EUV）光刻设备，双方各自投资规模处于10万亿至20万亿韩元区间。在ASML已明确2027至2028年EUV设备将出现供应短缺的背景下，锁定交付排期已成为两家存储巨头扩大先进DRAM产能的关键筹码。

这一轮采购竞赛的直接驱动力来自供给端的硬约束。ASML在近期财报中警告，即便2027年EUV产能提升30%、2028年再扩产30%，仍无法满足客户需求。核心设备的交付周期据称已拉长至此前最长水平的两倍，迫使两家公司考虑提前下单以确保供应。ASML今年EUV出货量约65台，较去年的44台增长近50%，但供给瓶颈并未缓解。

从已披露的具体动作来看，SK海力士的采购计划最为明确。该公司今年3月即公告了一项价值约11.95万亿韩元的EUV设备采购方案，相当于其2024年末总资产的9.97%，交付截止日期设定为2027年12月31日。这笔订单将支撑SK海力士向1c DRAM（10纳米级第六代）工艺过渡，其龙仁Y1晶圆厂首个无尘室预计于2027年2月投入使用。据TrendForce数据，SK海力士计划在1c DRAM上对超过5层工艺应用EUV，较上一代增加两层。

三星电子的订单节奏则与其平泽基地的投资计划深度绑定。该公司正在平泽P4工厂增设HBM4所需的1c DRAM生产线，同时推进P5工厂建设。P5首座晶圆厂目标2028年投产，单座晶圆厂投资规模超过60万亿韩元。据报道，三星已为P5产线订购光刻设备，预计在2027年上半年一期洁净室完工后进场。在更长期的技术路线上，三星计划2027年量产1d DRAM，2028年小规模生产10nm以下的0a DRAM，届时High-NA EUV预计将在部分层引入，三星据称正考虑仅在一至两层中使用以平衡成本与良率。

值得关注的是，ASML的设备紧缺正在重塑存储行业的资本开支节奏。今年三季度，存储客户已占ASML系统销售额的46%。业内人士指出，两家公司后续还可能视情况追加订单，资本开支进一步上行的可能性正在抬升。对于半导体设备与材料供应链而言，韩国存储双雄围绕EUV交付档期的这场争夺，意味着先进DRAM扩产周期的时间窗口正在被设备供给能力所定义，而非单纯由市场需求决定。