2026 年第三季度 DRAM“超级周期”逼近 2000 亿美元

来源： Counterpoint

AI 加速器和数据中心需求持续增长，推动存储价格和供应商营收双双创下历史新高。2026 年第三季度，DRAM 市场营收同比增长 369%。

根据 Counterpoint Research 最新发布的 2026 年第三季度全球存储市场追踪报告，三星以 38% 的市场份额位居 DRAM 市场首位。SK 海力士环比增长表现更为强劲，营收环比增长超过 40%，帮助其挽回了今年早些时候流失的部分市场份额。美光在 AI 数据中心存储需求的带动下同样表现不俗，但增速低于三星和 SK 海力士。与此同时，长鑫存储的市场份额从第二季度的 10% 降至第三季度的 9%。随着竞争对手自第四季度起陆续出货售价更高的 HBM4 产品，长鑫存储的市场份额可能将持续承压。

2026 年第三季度 DRAM 营收市场份额


来源： Counterpoint Research 全球存储市场追踪报告，2026 年第三季度

Counterpoint Research 高级分析师 Jeongku Choi 表示：“当前市场正处于价格驱动的超级周期，而非出货量驱动的周期。本季度 DRAM 位元出货量仅增长约 4%，但市场营收已接近 2000 亿美元，约为去年同期的 5 倍。AI 已将存储从一种大宗商品转变为稀缺的高价值资源，如今买方竞争的是供应保障，而非在价格上反复博弈。在价格持续上行的情况下，供应商有望在下一季度再创盈利新高。”

DRAM 平均销售价格（ASP）上涨是推动第三季度增长的主要因素。尽管价格涨幅较今年上半年的快速上涨有所放缓，但 DRAM 平均销售价格仍达到每Gb 1.9 美元，进一步推高整体 DRAM 营收。

Counterpoint Research 研究总监 MS Hwang 表示：“每一代 HBM 的迭代都在重塑竞争格局。SK 海力士此前在 HBM3E 市场占据主导地位，但其增长势头已有所放缓；而三星的 HBM4 产品则获得了客户的广泛认可。随着今年实现盈利好转，预计三星明年有望在 HBM 市场跃居首位。”

MS Hwang 补充道：“预计明年存储价格仍将维持强势。今年走势落后于普通 DRAM 的 HBM 价格正在追赶。长期协议（LTA）对价格形成支撑，而主要新增晶圆厂在 2028 年前不会投产，供应将持续偏紧。短期内，LTA 条款可能导致各供应商业绩出现差异，但从长期看，整体将呈现一致的上行趋势。”

从产品结构来看，尽管 HBM 营收接近翻倍，但其在 DRAM 总营收中的占比有所下降。这主要是因为传统 DRAM（DDR/LPDDR）的增长速度更快。

Counterpoint Research 副总监 Brady Wang 表示：“Agentic AI 的兴起，正在推动传统 DRAM 需求出现显著增长。根据我们的云端 AI 算力追踪数据，GPU 与 CPU 的配置比例已从 4:1 大幅收窄至 2:1，并呈现进一步向 1:1 靠拢的趋势。例如，在英伟达 Vera Rubin 机架中，每颗 CPU 插槽对应的 DRAM 容量较上一代增加了近三倍，达到 1.5 TB。强劲的需求已推动 DDR 和 LPDDR 的 ASP 达到历史高位，从而使其营收分别同比增长 500% 和接近 400%。我们观察到服务器 CPU 用量显著增加，进而带动传统 DRAM 消耗上升。这一趋势预计将进一步推高明年 DRAM 每 Gb 的 ASP，同时给边缘市场带来一定压力。”