英飞凌将在欧洲建设全球首座300毫米氮化镓功率半导体大规模量产基地

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将在欧洲设立全球首座采用300 mm晶圆制程生产下一代氮化镓（GaN）功率半导体的大规模量产制造工厂。作为该计划的一部分，英飞凌将在2034年前，对奥地利菲拉赫（Villach）基地的既有洁净室设施投资约11亿欧元。通过充分利用现有及升级后的基础设施，英飞凌将能以高效且具成本效益的方式扩大产能。该制造工厂预计于2027年底前开始投产。这项投资的目的是应对高性能供电解决方案快速增长的需求。氮化镓可显著提升包括AI数据中心、能源基础设施、电动出行、机器人及消费电子在内多种应用的能源效率。


英飞凌奥地利菲拉赫基地

英飞凌是氮化镓功率电子领域的领导者。两年前，英飞凌成功完成全球首次300 mm氮化镓晶圆生产，取得了重要技术突破。相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆的芯片生产技术更先进，生产效率也大幅提升，其更大的晶圆直径使单片晶圆的芯片产出数量可达到200 mm晶圆的2.3倍。目前，英飞凌正将这项创新技术引入全球首座面向客户的大规模量产基地。


300 mm晶圆上的下一代氮化镓（GaN）功率半导体

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这项重大投资展现了我们强化欧洲半导体生态系统与提升欧洲技术自主性的承诺。通过建立300 mm晶圆的大规模制造能力，我们将成为全球首家实现氮化镓功率电子产品规模化量产的企业。此举将推动氮化镓在人工智能、能源基础设施、电动出行及机器人等关键领域中的广泛应用。这座全新的先进制造基地将把我们的创新领先优势转化为客户可直接受益的价值。”

奥地利共和国联邦总理Christian Stocker表示：“英飞凌此项逾十亿欧元的投资，是奥地利高科技产业史上规模最大的单笔投资之一。这不仅体现了对奥地利投资环境的高度肯定，也将进一步巩固奥地利在全球半导体产业中的重要地位。菲拉赫因此将拥有一座全球独一无二的生产基地，生产一项塑造未来的关键技术。这将进一步增强我们的国际竞争力，并为奥地利保障就业、创造价值。奥地利或许不是一个拥有无限自然资源的国家，但我们拥有丰富的人才。我们的前沿研究树立了国际标杆，而英飞凌这样的企业则每天都在证明，‘奥地利创新’如何转化为现实成果。”

奥地利联邦经济事务部长Wolfgang Hattmannsdorfer表示：“芯片之于未来经济的重要性，犹如石油之于过去的经济。奥地利已在高能效芯片领域处于领先地位。我们希望通过产业策略巩固这项领先优势，不仅要研发新技术，更要推动这些技术实现产业化规模制造。这将惠及整个经济：从统计数据来看，芯片产业每创造一个就业岗位，可在整体经济中额外带来六个就业岗位。因此，我们计划在满足当地明确投资补助条件下，提供最高3.19亿欧元支持英飞凌的新芯片生产计划。这将确保公共资金能长期促进奥地利本土的价值创造与就业。”

这项首创技术的投资计划获得了《欧洲芯片法案》支持。欧盟委员会已核准奥地利政府提供3.19亿欧元补助，奥地利联邦经济事务部、能源部和旅游部预计将于规定期限内完成正式核定。借由核准该部提供的补助，欧盟委员会不仅将扩充欧洲的制造产能，也将为相关产业带来积极的带动效应，例如促进与大学及研究机构的跨域合作，并改善初创企业与中小企业获取创新技术及产品的机会。

英飞凌科技奥地利股份公司首席执行官Sabine Herlitschka表示：“卓越的研究成果只有转化为产业价值，才能形成竞争力与技术自主能力。这正是我们的旗舰项目所要实现的目标：我们立足奥地利，推动创新成果实现产业化应用，进一步巩固我们的技术领先地位，并保障高技能人才就业。微电子是对经济与社会具有高度带动效益的关键产业。从研究机构、大学到产业合作伙伴，整个奥地利半导体生态系统都将从中受益。”

这项投资将增强菲拉赫作为全球功率电子与新型半导体材料技术能力中心的地位。英飞凌奥地利公司目前约有5800名员工，其中约4800人任职于菲拉赫生产基地。英飞凌携手大学、研究机构、初创企业及产业合作伙伴，共同构成奥地利南部享誉国际的微电子生态系统的核心。新设立的300 mm氮化镓制造工厂，也将与菲拉赫当地的功率电子研发活动相互结合，发挥综合效应。

氮化镓是一种先进的半导体材料，能以更高的效率实现电力的开关与转换，进而实现尺寸更小、性能更强、能效更高的电子系统，同时减少能源损耗与发热。分析师预估，到2031年，氮化镓功率半导体市场规模将增长至约35亿美元，2025至2031年的复合年增长率约为35%。

2025财年，截至2025年9月30日
Yole Group《功率氮化镓2026》报告：https://www.yolegroup.com/product/report/power-gan-2026/