美光DRAM路线图更新：1ε节点引入晶圆键合，ζÅ节点导入High-NA EUV

美光科技在近日举行的2026年度技术网络研讨会上首次系统披露了其DRAM工艺的长期演进路线，确认将在开发中的1ε节点引入晶圆键合技术，并在后续世代导入High-NA极紫外光刻，以此在放弃4F²架构的背景下延续存储单元的微缩节奏。

美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德波尔在活动上坦言，DRAM已经接近原子尺度的物理极限，尽管公司对后续几个平面节点仍有信心，但必须为向三维结构的过渡做好准备。根据披露的路线图，美光当前主力的1γ节点已进入大批量生产，下一代1δ节点计划于2027年下半年在美国爱达荷州博伊西进入量产，位密度较1γ提升约20%至25%，并将服务于HBM5、垂直高带宽内存（vHBM）以及垂直边缘推理内存（vEIM）等面向AI负载的产品。真正引发业界关注的是1δ之后的1ε节点：该节点仍在开发之中，将首次引入晶圆键合工艺，但美光尚未透露具体的实现方式与预期性能增益。

在1ε之后，美光的路线图指向了更远的世代。第一代亚10纳米级节点ζÅ已进入早期开发阶段，计划采用High-NA EUV光刻技术；再往后的ηÅ节点则处于路径探索阶段，拟引入新材料以继续推进平面DRAM的收缩。德波尔表示，美光与奥尔巴尼纳米技术中心合作，正围绕未来五到十年的先进光刻需求推动High-NA EUV的DRAM路线图。值得注意的是，美光已在路线图中将3D DRAM置于ζÅ与ηÅ之间，但强调这是一条并行的技术路径，实际导入时点将取决于成本、制造复杂度与器件性能的综合权衡。

这一系列决策的背景是美光对4F² DRAM架构的明确放弃。德波尔称，经过二十余年的研究，4F²在复杂度与成本上均未展现出可行的规模化路径，因此美光选择延续6F²架构并同步开发3D DRAM。他进一步解释，决定DRAM位密度理论极限的关键在于电容间距而非单元架构本身，外界关于4F²与6F²的某些比较存在误导性。在NAND领域，美光也计划于2027年下半年量产的G11世代中采用晶圆对晶圆键合，层数超过400层，这被视为对其键合工艺在大规模生产环境下可靠性的一次前置检验。从1γ到1δ再到1ε，美光正试图用键合与光刻的双重升级，在平面DRAM的黄昏期争取最后几代性能红利。