Diodes 公司场板型超势垒整流器器件为汽车系统带来业界领先的效率与可靠性

Diodes 公司（Diodes）（纳斯达克代码：DIOD）宣布推出符合汽车标准的场板型超势垒整流器（SBRFP）系列产品，包括2A SBRFP2M60P1Q 与 SBRFP2M60SAFQ、3A SBRFP3M60SAFQ，及8A SBRFP8A60P5Q。作为可直接替代肖特基与PN结二极管的产品，SBRFP系列具备业界领先的超低正向压降（VF）与低反向漏电流（IR）特性。此性能组合可助力设计出更高效更可靠的直流直流（DC-DC）转换器、反极性保护（RPP）电路、电池充电系统、汽车LED照明以及变速箱控制系统。



与传统肖特基整流器不同，Diodes专利的SBRFP技术采用金属氧化物半导体（MOS）制造工艺，突破了肖特基与PN结二极管的固有性能限制。其中SBRFP8A60P5Q在8A工作电流下可实现业界最低的0.55V最大正向压降（VF），大幅减少导通损耗，并在大电流应用中实现更低的运行温度。同时，SBRFP2M60P1Q与SBRFP3M60SAFQ拥有业界领先的反向漏电流表现，在25°C和125°C环境下的最大漏电流分别为12μA与7μA。这些特性在提升系统效率的同时，还能最大限度降低高温工作条件下的热失控风险。

相比传统肖特基整流器，该系列新器件还具备显著增强的雪崩能力。不同型号的雪崩能量额定值可达145mJ，使整流器能承受汽车电气系统中常见的浪涌冲击、负载突降及各种瞬态状况。此雪崩能力是传统肖特基整流器的五到十倍，提升了系统整体的稳健性与可靠性。

SBRFP 系列提供多种封装选择，包括 PowerDI 123（SBRFP2M60P1Q）、PowerDI5（SBRFP8A60P5Q），以及 SMAF（SBRFP2M60SAFQ 和 SBRFP3M60SAFQ）。所有器件均可在-55°C至 +175°C的结温范围内保持稳定共作，完全适配严苛的汽车应用环境。