东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块，助力提升工业设备可靠性

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块“IX800FXF2YMS4”，进一步扩充了产品线。该模块适用于铁路车辆、可再生能源发电系统以及电力转换系统等应用。新模块搭载东芝第三代碳化硅（SiC）MOSFET芯片，漏源电压额定值为3300V，漏极电流（DC）额定值为800A。其规格参数中标明了二极管部分的I2t极限值，该值是衡量浪涌电流能力的指标。



铁路牵引逆变器和转换器、可再生能源发电系统以及工业电机控制设备等工业设备制造商，必须不断满足更高效率、更小尺寸和更高可靠性的需求。在这些系统中，异常情况下可能流经功率半导体模块的大浪涌电流，功率半导体模块可能会承受巨大的浪涌电流，因此必须具备足够的浪涌电流耐受能力以应对这一挑战。

IX800FXF2YMS4采用优化的SiC芯片设计，在异常条件下可实现300kA2s的I2t特性，该特性是衡量二极管部分浪涌电流能力的指标。

该模块的漏源导通电压（检测）（VDS(on)sense）为1.4V（典型值），有助于降低导通损耗。其导通开关损耗（Eon）为185mJ（典型值），关断开关损耗（Eoff）为175mJ（典型值），有助于降低开关损耗。这些特性有助于提升设备可靠性和效率，并缩小冷却系统尺寸。

新产品采用iXPLV封装，具有出色安装兼容性。该产品使用银烧结接合技术，提高了SiC芯片接合部位的耐热性和可靠性，实现了工业设备所需的175°C沟道温度额定值。

此次新产品的加入，使东芝采用iXPLV封装的SiC MOSFET模块数量增至四款，进一步拓宽了可选产品范围。

东芝将继续扩充面向工业设备的SiC MOSFET模块产品阵容，提供更广泛的产品选择，以满足多样化的设备规格和应用需求。同时，公司还将继续为提升工业设备的可靠性、效率和小型化作出贡献。


        应用：
工业设备
-        铁路牵引逆变器和转换器
-        可再生能源发电系统
-        电力转换系统（固态变压器（SST）；不间断电源（UPS）；储能系统（ESS）等）
-        工业电机控制设备等

        特性：
-        规定I2t极限值（二极管）额定值：I2t＝300kA2s
-        低漏源导通电压（检测）：VDS(on)sense＝1.4V（典型值）
-        低开关损耗：Eon＝185mJ（典型值），Eoff＝175mJ（典型值）
-        结温额定值：Tch＝175°C
-        采用iXPLV封装。


        主要规格：
（除非另有说明，否则Tc＝25°C）

        产品型号  IX800FXF2YMS4
  封装  名称  iXPLV™
  尺寸（mm）  典型值  144×99.5×40
  绝对最大额定值  漏源电压VDSS（V）  3300
  栅源电压VGSS（V）  -2.5
  漏极电流（DC）ID（A）  800
  漏极电流（脉冲）IDP（A）  1600
  结温Tch（°C）  175
  绝缘电压Visol（Vrms）  交流，60s  6000
  I2t极限值（二极管）I2t（kA2s）  Tch(initial)＝175°C，VGS＝－6V，半正弦波10ms  1脉冲，F.R.＝1%  300
  电气特性  漏源导通电压（检测）  ID＝800A，VGS＝＋20V，Tch＝25°C  典型值  1.4
  VDS(on)sense（V）
  源漏导通电压（检测）  IS＝800A，VGS＝＋20V，Tch＝25°C  典型值  1.4
  VSD(on)sense（V）
  源漏关断电压（检测）  IS＝800A，VGS＝－6V，Tch＝25°C  典型值  2.2
  VSD(off)sense（V）
  杂散电感LsPN（nH）  P端子—N端子  典型值  12
  导通开关损耗  VDD＝1800V，ID＝800A，VGS＝＋20V/－6V，Cgs＝100nF，RG(on)＝1.2Ω，RG(off)＝1.2Ω，Tch＝175°C，LS≃70nH  典型值  185
  Eon（mJ）
  关断开关损耗  典型值  175
  Eoff（mJ）

        应用电路示例


铁路牵引系统示例

注：本文档所示应用电路示例仅供参考。用于量产的设计必须经过充分评估。提供该应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

注：
测试条件：Tch(initial)＝175°C，VGS＝－6V，半正弦波10ms 1脉冲，F.R.＝1%
测试条件：ID＝800A，VGS＝＋20V，Tch＝25°C
测试条件：VDD＝1800V，ID＝800A，VGS＝＋20V/－6V，Cgs＝100nF，RG(on)＝1.2Ω，RG(off)＝1.2Ω，Tch＝175°C，LS≃70nH
iXPLV：intelligent fleXible Package Low Voltage的缩写
SST：一种利用功率半导体实现小型化、高效率电压转换和先进功率控制的下一代变压器。

如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
IX800FXF2YMS4
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.IX800FXF2YMS4.html

如需了解有关东芝SiC功率器件的更多信息，请访问以下网址：
SiC功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/power-semiconductors.html