英飞凌推出2A/mm2双相智能功率级产品，为AI加速器与垂直供电树立全新功率基准

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布TDA235E5与TDA235E0双相智能功率级产品系列，旨在满足下一代AI加速器和垂直供电模块快速增长的功率密度需求。该系列将英飞凌OptiMOS 6 MOSFET与双相驱动IC集成在6 × 6 × 0.8 mm3的紧凑型封装内，实现超过2 A/mm2的标杆级功率密度，为大电流AI处理器应用的功率级性能确立全新行业参考基准。随着超大规模云服务提供商与数据中心运营商不断扩大AI基础设施部署规模，市场亟需兼顾更大输电能力与更小物理尺寸的供电方案，该需求已成为一项关键的技术瓶颈。


全新智能功率级产品系列将英飞凌OptiMOS 6 MOSFET与双相驱动IC集成在6 × 6 × 0.8 mm3的紧凑型封装中

英飞凌科技功率IC产品线副总裁Rakesh Renganathan表示：“英飞凌的客户正在打造将会定义未来十年计算基础设施的AI系统。依托英飞凌完整的AI服务器供电生态，TDA235E5、TDA235E0功率级器件可为设计人员提供出色的功率密度、散热性能与设计灵活性，助力他们加快研发、实现可靠落地。”

两款器件最高支持300 A峰值电流，总设计电流（TDC）可达120 A，非常适用于下一代AI xPU加速器，也可用于数据中心内传统服务器CPU。器件同时支持横向供电与垂直供电架构。当前行业正逐步在先进AI处理器封装内部采用垂直供电模块方案，该特性为此类转型提供了设计必需的灵活性。器件具备优异的结-顶热阻抗特性，可集成高效液冷方案。当前单处理器插槽功耗持续攀升，传统风冷散热能力已逼近极限，液冷适配能力的重要性愈发凸显。搭配英飞凌数字多相控制器，该功率级器件可实现灵活、可扩展的多轨供电架构，助力快速迭代的AI服务器平台缩短部署周期。

TDA235E5、TDA235E0可融入英飞凌端到端AI服务器供电生态，该生态覆盖从电网接入到处理器核心供电的完整供电链路。英飞凌充分发挥硅、碳化硅与氮化镓的互补优势，为数据中心客户提供成熟可靠、可规模化部署的技术路径，助力AI优化的基础设施实现高能效、高可靠性与高功率密度。数据中心供电市场是半导体行业需求增长最快的赛道之一，英飞凌正持续加大产品投入，聚焦功率密度挑战最为关键的元器件领域，抢占市场发展先机。

供货情况

TDA235E5与TDA235E0工程样片现已开放预定，供客户评估。如需更多信息，敬请访问：此处。