惠海原厂太阳能控制器MOS管HCK006P02L，-20V 低内阻6.5mΩ -30V,-60V,-100V,-150V P沟道场效应管

惠海半导体原厂 HCK006P02L P 沟道 MOS 管：沟槽工艺低内阻，覆盖多元低压开关场景惠海半导体原厂推出的 HCK006P02L P 沟道场效应管，采用先进沟槽工艺打造，聚焦低压大电流应用场景，以低导通内阻、低驱动电压的特性，为电池保护、负载开关等电源管理方案提供可靠的功率器件选择。惠海半导体原厂 HCK006P02L核心规格参数漏源耐压 VDS：-20V连续漏极电流 ID：-70A导通内阻 RDS (on)：典型值 6.5mΩ @ VGS=4.5V，最大值不超过 9.0mΩ栅极驱动电压可低至 2.5V，适配低压控制逻辑惠海半导体原厂 HCK006P02L技术特性基于沟槽工艺的结构优化，该器件实现了导通内阻与栅极电荷的双重优化，有效降低导通损耗与开关损耗；低栅压驱动的特性使其可直接匹配低压主控电路，减少外围电平转换设计，提升方案集成度。惠海半导体原厂 HCK006P02L适用领域该型号可广泛应用于各类需要功率开关与保护的场景，包括但不限于：电池保护电路电子设备负载开关不间断电源（UPS）加湿器、雾化器、美容仪等小家电车灯、舞台灯、马达驱动逆变器、无线充电、PD 快充、太阳能电源电动车转换器、防盗器、充电器等终端产品惠海半导体原厂 沟槽工艺低压MOS管VDs±20V-±250V系列
P管SOT23-3L:340110P03 5P04 4P06 5P10
N 管 SOT23-3L:3400 8N03 6N04 6N06 3N10 5N10 6N10 2N15 5N12
15N10 30N10 50N10 90N10 30N12 15N15 50N15 10N20
N 管 PDFN5*6 TO-252:30N03 60N03 90N03 120N03 100N04 90N04 30N06 50N06 90N06 120N06
P管TO-252:100P02 60P06 30P10 50P10 20P15 20P20N管 SOT89:15N1012N06 40N06 20N03 40N0615N15 10N20
N 管 PDFN3X3 : 30N03 60N03 90N03 25N06 50N06 70N06 15N10 25N10 45N10 70N10 10N15 惠海半导体原厂MOS管型号选型：HCD004P02L、HCK004P02L、HCK006P02L、HCD006P02L、HC3401M、HC3407Y、HC3407A、HCD006P03L、HCCO10PO3L、HCD01OP03L、HCEO10P03L、HCD016P03L、HCM016P03L、HC4P04M、HCC3P04、HC4P04、HC5P04、HC6P04M、HC010P04M、HC030P04M、HC40P59P、HC045P04M