长电科技高深宽比TSV技术取得重要突破，赋能国产2.5D/3D先进封装

8月19日，国内封测行业龙头企业长电科技正式宣布，公司在高深宽比先进TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）技术研发方面取得重要进展，并已与合作伙伴共同顺利完成样品试制。此次技术突破标志着长电科技在微系统集成平台的关键底层工艺能力上迈出了坚实一步，旨在为高算力、高存力芯片的系统级集成提供更加完整、灵活的一站式制造支撑。

本次样品试制围绕深硅刻蚀、孔壁绝缘层沉积、阻挡层与种子层沉积以及铜填充等关键核心工艺全面展开。最终制备出的TSV样品孔径达到1.5微米、深度为17微米，深宽比成功达到11.3:1。相较于传统较大孔径的TSV结构，1.5微米级小孔径对深硅刻蚀精度、孔壁介质层与金属层的覆盖均匀性，以及无缺陷铜填充提出了极高的技术要求。此次试制的圆满成功，充分验证了长电科技已具备业界领先的小孔径、高深宽比TSV工艺研发与协同验证能力。

随着人工智能、高性能计算及高带宽存储等应用的快速发展，GPU、ASIC、HBM及其他功能芯粒之间亟需更高密度、更低损耗和更高可靠性的互连方式。TSV作为在硅片或芯片内部形成垂直导电通道的核心技术，是实现2.5D/3D集成、垂直互连和Chiplet异构集成的重要底层支撑。此次高深宽比TSV的研发能力，将重点支撑两类高端先进封装场景：一是通过在下层晶圆或芯片中制备TSV实现芯片垂直电气连接的3D堆叠集成；二是面向硅中介层等硅基互连结构，通过与再布线、微凸点等工艺协同，为2.5D集成及多芯粒互连提供关键工艺支持。

长电科技表示，此次样品试制成功进一步拓展了公司在晶圆级先进封装和硅基互连领域的研发边界，为打通TSV、再布线及相关晶圆级工艺，探索完整硅中介层制备能力奠定了坚实的研发基础。对于封测企业而言，打造面向来料晶圆的TSV制备能力，有助于强化从晶圆级工艺、硅基互连到系统集成之间的工艺衔接，从而为不同制程节点、不同功能芯粒和不同系统架构提供更加灵活的技术选择。未来，长电科技将按照从技术研发、工程验证到量产应用的路径，有节奏地推进全流程高端先进封装能力建设，持续推动各项技术能力相互衔接与协同演进。