高塔半导体宣布斥资6000亿日元在日扩充晶圆产能

以色列知名晶圆代工企业 Tower Semiconductor（高塔半导体）正式官宣，将在日本启动总规模约 6000 亿日元（约合 250.84 亿元人民币）的产能建设投资，重点布局硅光子、硅锗及先进光学封装等前沿领域，抢抓 AI 与数据中心高速光连接技术爆发的市场机遇。

此次投资将采用双线并行的扩产策略，选址聚焦日本富山县鱼津市与新潟县妙高市两大核心区域。一方面，公司计划在富山县鱼津市现有 Fab 7 晶圆厂旁，新建一座 12 英寸（300mm）先进生产设施，全面升级硅光子与硅锗产能，投产后相关产能将实现数倍增长，精准匹配全球客户对 AI 算力、数据中心高速互联芯片的激增需求。另一方面，同步推进新潟县妙高市原 Fab 6 工厂的改造工程，将其转型为 12 英寸硅光子专属产能基地与先进光学封装中心，最大化盘活既有制造资源，缩短产能落地周期。

作为日本《经济安全保障推进法》框架下规模最大的半导体补贴项目之一，日本政府将为该投资提供最高约 1600 亿日元（约合 66.89 亿元人民币）的补助，彰显其强化本土半导体供应链、抢占光通信芯片产业制高点的战略决心。这也是日本继吸引台积电熊本厂、Rapidus 先进半导体工厂落地后，又一重磅外资半导体产能引进举措，持续完善本土从制造到封装的全链条半导体生态。

高塔半导体深耕日本市场多年，此前通过收购前松下半导体制造业务相关股权，在当地积累了成熟的制造基地、技术团队与产业资源。公司 CEO Russell Ellwanger 表示，日本完善的半导体产业配套、顶尖的科研资源及经验丰富的制造人才，是此次选择加码日本产能的核心考量，叠加政府补贴支持，将有效降低项目资本开支压力，加速技术迭代与产能释放。

据公司披露，此次扩产的新产能预计于 2027 年第四季度全面投产，目前超 70% 的新增产能已被客户提前锁单至 2028 年，订单储备充足。依托此次产能扩张，高塔半导体上调未来业绩预期，预计 2028 年营收将达 36 亿美元，净利润提升至 12 亿美元，较此前预期分别增长近 30% 与 60%，进一步巩固其在全球硅光子与 specialty 晶圆代工领域的领先地位。

此次大手笔投资，既是高塔半导体抢抓 AI 与高速光通信产业红利的关键布局，也将推动日本成为全球硅光子芯片制造的核心枢纽，为全球半导体供应链多元化与技术创新注入新动能。