华润微MOS CS2N65A4 现货库存，特价供应

概述CS2N65 A4是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,该技术可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准。

特性
[*]快速开关
[*]低导通电阻(Rdson≤5.0Ω)
[*]低栅极电荷(典型数据:9nC)
[*]低反向传输电容(典型值:6pF)
[*]100%单脉冲雪崩能量测试


应用领域-适配器和充电器的功率开关电路