东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提升AI数据中心的效率
2026年06月30日 17:33 发布者：eechina
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。
随着AI处理需求持续扩大，数据中心的功耗需求不断增加；同时，通信基础设施的发展也进一步提高了开关电源在高效率、小型化（高功率密度）和低电磁干扰（EMI）方面的要求。由于功率损耗会直接影响系统功耗、发热量和冷却负荷，因此有必要采用具备相应特性的功率半导体，以能平衡降低导通损耗和开关损耗，并有助于实现包括EMI抑制、热设计和安装便利性在内的系统整体优化。
TPM1R408RH采用优化的器件结构，实现了1.4mΩ（最大值）的漏源导通电阻，与采用上一代U-MOS X-H工艺制造的东芝80V产品“TPM1R908QM”相比降低约26%。此外，该产品还改善漏源导通电阻（RDS(ON)）与总栅极电荷（Qg）之间的平衡，相较于TPM1R908QM，品质因数RDS(ON)×Qg约降低45%。这些特性达到了业界领先水平的低功耗损耗表现。
图1. 漏源导通电阻的降低（与东芝产品比较）
图2. 漏源导通电阻×总栅极电荷的降低（与东芝产品比较）
TPM1R408RH还可抑制开关过程中在漏极与源极之间产生的尖峰电压，有助于降低开关电源中的EMI。EMI抑制通常需要在设计后期进行返工，而抑制器件本身产生的尖峰电压有助于减少返工，并简化滤波器和缓冲电路。
新产品采用SOP Advance (E) 封装，与东芝现有的SOP Advance (N) 封装相比，封装电阻约降低65%，热阻约降低15%。通过抑制发热并改善散热性能，该封装支持更高输出功率和更紧凑的电源设计。
东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。除可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。东芝网站上的在线电路仿真器可让用户在网页浏览器中轻松验证电路运行情况，无需搭建仿真环境或下载器件模型。（在线电路仿真器：此处）
东芝将继续扩充有助于提升电源效率的功率MOSFET产品线，从而帮助降低工业设备的功耗。
应用：
工业设备
- 用于AI数据中心和通信基站的开关电源
特性：
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)＝1.4mΩ（最大值）（VGS＝10V，ID＝50A，Ta＝25°C）
- 低漏源导通电阻×总栅极电荷：RDS(ON)×Qg＝1.4mΩ×80nC＝112mΩ・nC（约比TPM1R908QM的1.9mΩ×108nC＝205.2mΩ・nC低45%）
- 采用低封装电阻和低热阻的SOP Advance (E) 封装
主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25°C）
器件型号 TPM1R408RH
绝对最大额定值 漏极-源极电压VDSS（V） 80
漏极电流（DC）ID（A） Tc＝25°C 288
结温Tch（°C） 175
电气特性 漏源导通电阻 VGS＝10V Max 1.4
RDS(ON)（mΩ） VGS＝8V Max 1.7
总栅极电荷 VGS＝10V 典型值 80
Qg（nC）
栅极开关电荷 典型值 23
Qsw（nC）
输出电荷Qoss（nC） 典型值 161
反向恢复时间trr（ns） 典型值 74
反向恢复电荷Qrr（nC） 典型值 115
封装 名称 SOP Advance (E)
尺寸（mm） 典型值 4.9×6.1×1.0
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注：
截至2026年6月，基于东芝低压功率MOSFET工艺。
VGS＝10V，ID＝50A，Ta＝25°C
截至2026年6月的东芝调研。
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TPM1R408RH
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TPM1R408RH
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