英飞凌超结MOS（COOL MOS) IRLR2905ZTRPBF

概述这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极其高效且可靠的器件,可广泛应用于各种领域。

特性
[*]逻辑电平
[*]先进的工艺技术
[*]超低导通电阻
[*]175°C工作温度
[*]快速开关
[*]允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
[*]无铅