华润微MOS CS7N65FA9R
2026年06月15日 11:26 发布者：kwanghua
概述CS7N65F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和提高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。特性
[*]快速开关
[*]低导通电阻(Rdson ≤ 1.4Ω)
[*]低栅极电荷(典型数据:24nC)
[*]低反向传输电容(典型值:5.5pF)
[*]100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
[*]适配器和充电器的功率开关电路。
[*]