中国电科55所自主研发 全球首款量产智能终端用硅基氮化镓射频芯片交付超五百万颗

由中国电子科技集团公司第五十五研究所（简称“中国电科55所”）自主研发的全球首款量产智能终端用硅基氮化镓（GaN-on-Si）射频芯片产品，近日市场累计交付量已正式突破五百万颗大关。这一数据的达成，不仅标志着我国在高端射频芯片的设计、工艺及大规模量产制造链条上实现了全线自主可控，更打破了国际巨头在智能终端高频、高功率射频前端领域的长期垄断，为全球智能手机及下一代智能终端的算力跳跃与功耗优化开辟了全新路径。

射频前端芯片是智能终端连接数字世界与现实物理波谱的“咽喉”器件，其性能直接决定了设备的通信速率、信号稳定度及发热量。长期以来，砷化镓（GaAs）作为主流材料占据着消费电子市场的绝对份额，但在面对更高频段、更宽带宽的5G-Advanced及未来通信需求时，传统材料的功率密度和热导率已逼近物理极限。氮化镓作为第三代半导体的代表，此前多用于基站、雷达等大型大功率设备中。中国电科55所科研团队另辟蹊径，攻克了将氮化镓生长在低成本、大尺寸硅衬底上的全球性工艺难题，成功将氮化镓的“高频、大功率、高效率”优势，完美移植到了体积要求极苛刻、功耗极敏感的消费级智能终端内部。


射频硅基氮化镓晶圆

此次实现超五百万颗批量交付的硅基氮化镓射频芯片，在关键技术指标上展现出了极强的国际竞争力。相比于传统射频芯片，该系列产品在同等发射功率下，功耗显著降低，大幅缓解了现代纤薄智能手机在持续高负荷通信下的发热“烫手”问题，有效延长了终端的续航时间。同时，55所通过自主构建的六英寸及以上大尺寸硅基氮化镓晶圆量产线，攻克了高一致性外延生长、微米级精细加工以及高可靠性封装等多项核心工艺瓶颈，使得该款芯片的成品率与成本控制达到了严苛的消费电子商用标准，从而顺利通过了多家国内一线智能终端整机厂商的严格认证，正式驶入规模化应用的快车道。

五百万颗的交付量，是实验室技术走向成熟商业市场的硬核分水岭。这表明我国不仅在第三代半导体基础理论研究上走在前列，更具备了满足全球顶级消费电子供应链对高稳定性、高产能、高性价比要求的产业化能力。中国电科55所此项成果的落地，不仅强力支撑了我国智能终端产业链的补链与强链，也向全球半导体行业证明了硅基氮化镓在端侧应用的无限潜力。