SK海力士发布 iHBM 控温散热存储技术

半导体制造商 SK海力士正式宣布，推出一项名为 “iHBM” 的创新控温散热存储技术，瞄准人工智能（AI）、高性能计算（HPC）及数据中心领域日益严峻的高带宽内存（HBM）散热挑战，以结构性创新方案为下一代高速存储产品筑牢稳定运行根基。

随着 AI 算力需求呈指数级增长，HBM 作为支撑高速数据交互的核心存储组件，正持续向更高堆叠层数、更快传输速率方向迭代，而高密度集成带来的积热问题，已成为制约产品性能释放与系统可靠性的关键瓶颈。此次发布的 iHBM 技术，核心突破在于集成冷却元件 “ICE”—— 一种采用绝缘、高导热性硅基材料打造的专用散热组件，彻底改变传统 HBM 依赖核心芯片间接导热的被动散热模式。

传统 HBM 产品仅通过核心裸片单一通道导出热量，散热效率低且热量易在局部聚集。iHBM 技术创新性地将 ICE 元件直接嵌入 HBM 封装内发热最集中的 D2D PHY 区域，也就是 HBM 基础芯片与 AI 高速芯片实现超高速数据传输的物理互联通道，精准构建专属高效散热路径，从底层结构设计上实现热量的快速疏导与散发。测试数据显示，相较于传统方案，iHBM 技术可将 HBM 产品热阻降低 30% 以上，即便在高温、高负载的严苛运行环境中，也能保障芯片持续稳定工作，显著提升极端工况下的可靠性与耐久性。



在量产落地与产业适配层面，iHBM 技术具备显著的实用优势。该技术依托 SK 海力士经市场充分验证的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）晶圆级封装（WLP）工艺打造，可实现稳定的规模化量产，保障后续供货能力。同时，iHBM 与客户现有系统级封装（SiP）架构高度兼容，企业无需对现有硬件设计进行大规模调整，即可快速完成技术导入与部署，有效降低了升级门槛与应用成本，助力产业客户高效应对 AI 时代的算力升级需求。

SK 海力士计划将 iHBM 技术率先应用于 HBM5 等下一代高端 HBM 产品，全面覆盖 AI 数据中心、高性能计算、高端服务器等超高集成度、高带宽应用场景。SK 海力士负责封装开发的副总裁李康旭表示，iHBM 是融合内存设计核心能力与先进封装技术的突破性成果，精准直击 AI 产业高速发展下的 HBM 散热痛点，未来将持续优化技术性能，为全球客户提供更高效、更可靠的存储散热解决方案，赋能 AI 产业高质量发展。