IBM与泛林半导体达成5年合作 携手攻坚亚1nm尖端逻辑制程技术

美国当地时间3月10日，全球科技巨头IBM正式对外宣布，已与全球领先的半导体设备制造商泛林半导体（Lam Research）达成战略合作，双方签署为期5年的全新合作协议，将聚焦亚1nm尖端逻辑制程的联合开发，重点围绕新型半导体材料、先进蚀刻与沉积工艺，以及High NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻技术三大核心方向发力，旨在突破当前半导体制程的技术极限，抢占下一代半导体产业发展的战略制高点。



作为半导体行业制程革新的领跑者，IBM在尖端工艺研发领域始终保持领先优势，2021年便推出全球首款2nm芯片，为亚1nm制程的研发奠定了坚实的技术基础，其在先进逻辑制程、芯片架构设计等方面的深厚积累，将为此次合作提供核心技术支撑。而泛林半导体作为全球半导体设备领域的核心企业，在蚀刻、沉积等关键制程设备领域拥有深厚的技术沉淀和市场优势，此前已与IBM、应用材料等国际龙头企业建立长期合作关系，其先进设备与工艺解决方案，能够有效破解亚1nm制程研发中的设备适配难题，双方的合作形成了“技术研发+设备支撑”的强强联合格局。

此次双方签署的5年合作协议，明确了三大核心联合开发方向，精准瞄准亚1nm制程研发中的核心痛点。在新材料领域，双方将共同探索超越传统硅基材料的新型半导体材料，破解硅基材料在亚1nm节点面临的量子隧穿效应等技术瓶颈，为制程突破提供材料保障；在先进蚀刻与沉积工艺方面，将优化现有工艺方案，提升制程精度与效率，解决亚1nm节点电路布线密度提升带来的蚀刻难度加大、薄膜沉积均匀性不足等问题；在High NA EUV光刻技术领域，将深度协同阿斯麦（ASML）等光刻设备厂商，推动High NA EUV光刻技术的落地应用，该技术作为下一代光刻核心技术，成像对比度较传统EUV提升40%，分辨率可达8纳米，能通过单次曝光实现更精细的电路刻蚀，是亚1nm制程量产的核心必备设备。

IBM半导体研发部门负责人表示，随着半导体制程不断逼近物理极限，亚1nm已成为全球半导体企业竞争的核心赛道，单一企业的技术积累已难以满足尖端制程研发的复杂需求，此次与泛林半导体的深度合作，将实现技术研发与设备创新的双向赋能，加速亚1nm逻辑制程的技术突破与商业化落地。据悉，双方将组建联合研发团队，整合各自核心资源，共享技术研发成果，同步推进技术验证与设备适配，力争在合作期内完成亚1nm制程关键技术的突破，为后续量产奠定基础。

泛林半导体相关高管则指出，亚1nm制程的研发不仅是对半导体工艺的极限挑战，更需要设备与工艺的深度协同，泛林半导体将充分发挥自身在蚀刻、沉积设备领域的优势，配合IBM的制程研发需求，优化设备性能与工艺方案，助力破解亚1nm制程研发中的关键技术难题。作为全球半导体设备领域的重要参与者，泛林半导体始终聚焦先进制程设备的研发，此次与IBM的合作，将进一步拓展其在尖端制程设备领域的应用场景，巩固行业领先地位。

当前，全球半导体产业正进入亚1nm制程的研发攻坚期，台积电、三星、英特尔等国际巨头均已布局相关技术研发，其中台积电计划在2030年实现1nm制程量产，三星则通过引进High NA EUV设备加速下一代制程布局。业内分析指出，IBM与泛林半导体的此次合作，将进一步加剧亚1nm制程领域的竞争，同时也将推动全球半导体产业的技术升级，双方的技术突破不仅将提升自身的核心竞争力，还将带动上下游产业链协同发展，破解当前尖端制程研发中的材料、设备、工艺等多重瓶颈。。