SK海力士发布H³新型半导体结构：融合HBM与HBF技术

据韩国媒体近日报道，全球存储芯片巨头 SK 海力士（SK hynix）在一份最新发表的学术论文中，正式提出了一种名为“H³”（Hybrid Semiconductor Structure，混合半导体结构）的革命性架构。这一创新结构的出现，标志着存储技术从单一的高带宽路径向多维混合架构迈出了关键一步。根据论文描述，H³ 结构的核心在于打破了传统存储器的设计边界，首次实现了高带宽内存（HBM）与高性能缓冲技术（HBF）的深度融合，该架构通过将高带宽内存（HBM）与高带宽闪存（HBF）深度融合，在AI算力领域实现每瓦性能提升2.69倍、并发查询能力提升18.8倍的重大突破，为全球AI芯片设计开辟新路径。

这种被称为 H³ 的混合结构，通过将现有的 HBM 技术与全新的 HBF（Hybrid Bonding Fabric 或 High-performance Buffer）技术相结合，在物理层面实现了更高密度的互连与更低延迟的数据传输。SK 海力士的研究团队指出，HBM 负责提供极致的数据吞吐量，而 HBF 技术则充当了高性能的调节器与缓冲层，优化了核心存储单元与处理器之间的通信效率。这种设计不仅能够显著提升单位面积内的内存容量，更能在维持高带宽输出的同时，大幅降低高负载运算下的整体功耗，为下一代超大规模 AI 模型训练提供更可持续的硬件支撑。



行业分析人士认为，SK 海力士此次提出的 H³ 概念，实际上是对未来 AI 计算环境下存储需求的精准预判。随着 GPU 与定制化 AI 加速器性能的飞速提升，传统的 HBM 堆叠方式虽然解决了带宽问题，但在散热管理、数据调度灵活性以及系统延迟方面仍有优化空间。H³ 结构的引入，通过 HBF 技术的加持，使得存储芯片能够更智能地处理突发数据流，减少了处理器等待数据的闲置时间。这不仅是对 HBM 现有优势的延续，更是一次底层逻辑的重构。

据韩媒援引知情人士消息，SK 海力士目前已完成 H³ 结构的初步实验验证，并正在探索将该架构应用于未来的 HBM4 甚至更先进的迭代产品中。这一技术路径的公开，无疑在半导体行业内投下了重磅炸弹，尤其是在与三星电子、美光科技的激烈竞争中，SK 海力士试图通过 H³ 结构重新定义高端存储器的标准。随着论文的发表，全球半导体供应链开始密切关注 H³ 结构的量产可行性，这或将引领未来五年高性能服务器与数据中心硬件设计的新风向。