软银联手英特尔开发下一代高性能内存技术"ZAM" 解决 AI数据中心的“内存瓶颈”和“能耗危机”

软银旗下子公司Saimemory周二宣布与英特尔签署合作协议，共同推进这项面向人工智能和高性能计算的新一代内存技术商业化。该技术旨在改进传统动态随机存取内存（DRAM）架构，以满足AI应用日益增长的性能需求。



"ZAM"（全称 Z-Angle Memory）是由软银（SoftBank）旗下子公司 Saimemory 与 英特尔（Intel） 合作开发的一种下一代高性能内存技术。这项合作于 2026 年 2 月初正式签署协议，旨在解决当前人工智能（AI）数据中心面临的“内存瓶颈”和“能耗危机”。

ZAM 技术的核心特点

ZAM 被视为现有高带宽内存（HBM）的一种更高效、更低成本的替代或补充方案，其核心优势包括：

极低能耗：据研发目标显示，ZAM 旨在通过改进传统 DRAM 的架构，将电力消耗降低约 50%。这对于能耗巨大的 AI 数据中心至关重要。

高容量与高带宽：它采用了新型的堆叠式 DRAM 架构和独特的布线方式（即“Z-Angle”命名相关的垂直连接技术），能够在大规模 AI 模型的训练和推理中提供极快的数据传输速度。

技术来源：该项目利用了英特尔在美国能源部（DOE）支持下开发的“下一代 DRAM 键合（NGDB）”技术，并结合了日本东京大学等机构的专利成果。

目前，AI 芯片主要依赖 HBM（如 HBM3e），但 HBM 存在制造复杂、成本极高且供应掌握在极少数厂商（如 SK 海力士、三星）手中的问题。

软银与英特尔的联手，意味着：

打破垄断：试图在 HBM 主导的市场中开辟一条新路径，降低 AI 硬件的整体成本。

软银的半导体野心：这是孙正义继投资 ARM 后，在 AI 硬件基础设施上的又一重磅布局。软银旗下的 Saimemory（成立于 2024 年 12 月）将主导商业化进程。

英特尔的复兴信号：英特尔通过提供核心架构和制造技术支持，强化其在 AI 半导体领域的地位。

关键时间节点

2024年12月：软银成立全资子公司 SAIMEMORY，专注下一代存储研发。

2026年2月：软银与英特尔签署正式商业化协议。

2027 财年（预计）：完成 ZAM 原型产品的开发。

2029 财年（预计）：正式实现大规模商业化。