美光科技官宣十年240亿美元新加坡扩产计划

1月27日消息，全球半导体存储巨头美光科技今日宣布，将对其位于新加坡的NAND闪存生产基地进行战略性大规模扩建。根据公司公布的最新计划，美光将在未来十年内投入约240亿美元（约合305亿新元），用于建设一座技术领先的先进晶圆制造厂。该项目已正式动工，预计将于2028年下半年实现晶圆的初步产出，旨在应对人工智能（AI）浪潮下对高性能存储设备的爆发式需求。

这座新设施标志着美光在新加坡制造版图的进一步扩张。据悉，该厂将成为新加坡首座采用双层结构的晶圆制造工厂，其洁净室总面积将达到70万平方英尺，通过垂直空间的最大化利用来显著提升单位面积的产能。美光表示，这一战略部署不仅能够强化其在全球NAND闪存市场的供应韧性，更将与此前动工的高带宽存储器（HBM）先进封装工厂形成协同效应。随着AI数据中心和企业级SSD需求持续紧平衡，新加坡基地作为美光全球NAND生产的核心节点，其战略地位正得到前所未有的巩固。

在带来产能飞跃的同时，该投资项目也将为当地劳动力市场注入强心针。美光预计，新工厂的建设与运营将直接创造约1600个高技术岗位，涵盖工程研发、智能制造及自动化运营等多个关键领域。结合此前HBM项目的用人需求，美光近两年在新加坡的系列扩张举措预计将累计贡献约3000个新工作机会。新加坡政府方面对此表示欢迎，认为此举进一步夯实了新加坡在全球半导体生态系统中的关键枢纽地位。

面对行业内三星电子和SK海力士等竞争对手的积极扩产，美光此次豪掷240亿美元彰显了其长期主义的投资策略。尽管存储行业周期波动显著，但美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉认为，AI基础设施建设正引发存储芯片需求的“前所未有”增长。通过在新加坡这一成熟生产中心加码先进NAND技术，美光力求在2028年及以后，通过更高效的制程与规模效应，持续巩固其在数据驱动经济时代的市场领先优势。