芯迈半导体发布第二代80V SGT MOSFET产品线

1月22日，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司（Silicon Magic，以下简称“芯迈半导体”）正式宣布推出第二代80V屏蔽栅沟槽型（SGT）MOSFET产品线。该系列产品全面采用公司自主优化的屏蔽栅沟槽工艺平台，在保持高耐压可靠性的前提下，实现了特征导通电阻（Rsp）、栅极电荷（Qg）和开关损耗的全面大幅优化，为新能源汽车48V系统、工业电机驱动、高密度电源、电动工具、无人机等中高压高效应用场景提供更具竞争力的功率解决方案。

第二代80V SGT MOSFET系列涵盖多种主流封装形式，包括TO-220、TO-252（DPAK）、TO-263（D2PAK）、DFN5x6等，击穿电压统一为80V，导通电阻最低可达业内领先水平，典型值在3mΩ以内（视具体型号而定）。相较第一代产品，该系列通过电荷平衡技术的深度迭代、栅极结构精细优化以及寄生电容显著抑制，实现了FOM（RDS(on)×Qg）降低30%以上，同时开关速度更快、EMI表现更优异，有效降低了系统整体功耗与发热，提升电源转换效率至更高水准。

在可靠性设计上，第二代产品继承芯迈半导体一贯的高雪崩耐量（Avalanche ruggedness）和优异ESD保护能力，并进一步强化高温反偏（HTRB）和高温门偏（HTGB）等关键可靠性指标，满足AEC-Q101车规级标准要求，适用于严苛的汽车电子与工业环境。产品还具备极低的体二极管反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，显著减少同步整流应用中的死区损耗与电压尖峰，特别适合高频DC-DC转换、电机驱动逆变、Oring控制器等场景。

芯迈半导体功率器件事业部负责人表示：“80V电压平台正处于新能源汽车48V轻混系统、48V高压锂电工具、数据中心辅助电源、工业自动化等领域的快速渗透期。我们第二代80V SGT MOSFET的推出，是公司在中低压屏蔽栅沟槽技术路线上的又一里程碑成果。通过持续的结构创新与工艺精进，该系列产品不仅在性能参数上实现对标国际一线厂商的水平，更在性价比、供货稳定性和本地化服务上具备显著优势，将有力助推下游客户实现国产化替代与系统效率跃升。”

目前，芯迈半导体第二代80V SGT MOSFET系列已向核心客户开放样片申请，并同步提供完整的技术文档、SPICE模型、评估板及参考设计。公司表示，首批产品将于2026年第二季度实现规模量产，后续还将根据市场需求快速扩展更多电流规格与封装选项。