SK海力士投19万亿韩元建第七座后端工厂P&T7

1月13日消息，全球存储芯片巨头SK海力士正式宣布，将投资19万亿韩元（约合129亿美元）在韩国忠清北道清州市建设其第七座半导体后端工厂P&T7，专项聚焦高带宽内存（HBM）等AI核心内存产品的封装测试环节，以应对全球人工智能产业爆发式增长带来的刚性需求，持续巩固其在高端存储领域的领先地位。

据SK海力士官方披露，新建的P&T7工厂计划于2026年4月启动建设，2027年底完成竣工并逐步投产，将重点搭载新一代封装测试技术，适配HBM产品的3D堆叠特性与高性能需求。作为SK海力士在清州半导体园区的关键扩容举措，该工厂将与园区内现有生产设施形成高效协同，尤其将联动即将量产HBM4晶圆的专用工厂，构建从晶圆制造到封装测试的一体化HBM产业链布局，大幅提升产能交付效率与产品良率。

此次大额投资背后，是全球HBM市场的持续升温与供需紧张格局。数据显示，SK海力士凭借技术先发优势，在HBM领域占据主导地位，2025年一季度已以36.7%的市场份额登顶全球DRAM市场，终结三星长达四十余年的统治地位，其HBM产品当前在全球市场的位元份额保持在50%以上。随着英伟达、谷歌、亚马逊等科技巨头加速AI基础设施布局，HBM需求持续激增，SK海力士已于2025年3月率先向客户交付HBM4样品，该产品带宽较上一代HBM3E翻倍，能效提升40%，可使AI服务性能最高提升69%，成为推动此次扩产的核心动力。

选址忠清北道清州市，既契合韩国“K—半导体产业带”的战略布局，也得益于当地成熟的产业生态。清州作为韩国东部半导体产业集群的核心节点，已被纳入韩国国家尖端战略产业特色园区，享有税负减免、基础设施配套等一揽子政策支持，目前已聚集多家半导体生产及配套企业，形成了完善的产业链协同效应。此次P&T7工厂的落地，将进一步强化清州在全球AI存储价值链中的核心地位，也助力韩国打造全球最大规模半导体产业供应链的目标。

从行业竞争格局来看，HBM正成为存储巨头角力的核心赛道。当前三星、美光均在加速HBM4产品研发与产能布局，三星计划2025年末启动初期生产，美光则预计2026年正式量产业务，市场竞争日趋激烈。SK海力士此次新建后端工厂，正是为了巩固先发优势，Meritz Security分析师预测，凭借HBM4的早期供应能力与产能扩充举措，SK海力士2026年在HBM市场的份额有望维持在60%左右。

业内人士分析，随着AI大模型训练、高性能计算及智能汽车等场景的深度渗透，HBM市场规模将持续高速增长，预计2028年总潜在市场将达到1000亿美元，2023年至2028年复合年增长率约40%。SK海力士通过自建后端工厂完善产业链布局，不仅能降低外部依赖、控制生产成本，更能快速响应客户定制化需求，强化在AI内存供应链中的核心议价权。此次P&T7工厂的建设，将进一步优化全球HBM产能格局，为半导体行业的结构性增长注入新动力，也折射出头部企业向AI化转型的明确趋势。