台积电大幅加码美国投资，总投资或破2000亿美元

1月13日，《纽约时报》援引知情人士消息称，作为美国与中国台湾地区贸易协议的核心条款，台积电将大幅扩大在美投资规模，承诺在亚利桑那州增建至少五座半导体晶圆厂，使当地工厂总数增至七座，总投资额或突破2000亿美元。这一决策被视为美国推动半导体制造本土化战略的关键一步，同时也折射出台积电在全球产业链重构中的复杂处境。

据报道，美国特朗普政府与中国台湾地区已进入关税协议最后阶段，预计最快本月正式宣布。协议核心内容包括将中国台湾输美商品关税从20%调降至15%，与美国此前同日本、韩国达成的贸易协定税率持平。作为交换条件，台积电需承诺在亚利桑那州追加投资，扩建半导体产能。美国商务部长霍华德·卢特尼克此前公开表示，希望台积电在美投资规模“超过2000亿美元，创造3万个就业岗位”，而此次新增的五座晶圆厂或成为达成这一目标的关键增量。

台积电在美投资历程充满波折。2020年，公司宣布首期投资120亿美元建设亚利桑那州工厂，后因通胀、人力成本及供应链问题，投资额逐步攀升至400亿美元。2025年，台积电进一步承诺在美建设6座先进制程晶圆厂、2座先进封装厂及1座研发中心，总投资达1650亿美元。此次新增的五座工厂若落地，总投资额将再增350亿美元以上，总规模突破2000亿美元大关。

然而，高昂成本与运营挑战持续困扰台积电。公司高层曾坦言，赴美建厂成本较中国台湾高出至少4倍，涵盖人工、合规、物流及供应链重建等多重压力。例如，亚利桑那州工厂需应对1.8万条地方监管条款，仅合规成本就达3500万美元；本地熟练工人短缺迫使台积电从中国台湾调派500余名工程师，引发工会诉讼与文化冲突。尽管如此，台积电仍需通过持续投资换取关税优惠及政策稳定性，以维持其全球供应链地位。

台积电加速扩产的直接驱动力来自AI芯片市场的爆发式增长。摩根士丹利研报指出，英伟达、AMD等客户对3纳米制程需求激增，推动台积电考虑将2026年3纳米产能目标从14万片/月提升至16万片/月，资本支出或达500亿美元。新增的亚利桑那州工厂将专注于生产逻辑芯片（如AI加速器）及先进封装产品，直接对接美国数据中心及自动驾驶市场的旺盛需求。

此外，地缘政治风险亦迫使台积电分散产能。美国《芯片与科学法案》通过520亿美元补贴吸引半导体制造回流，而中国台湾地区对美出口关税的调整压力，进一步加速了台积电的“去中心化”布局。目前，台积电已在中国台湾、美国、日本及欧洲多地规划产能，试图在技术领先性与供应链安全间寻求平衡。