SK海力士与英伟达携手开发下一代AI SSD

2025年12月11日 09:25    发布者:eechina
12月10日,在硅谷举办的全球AI存储技术峰会上,SK海力士副总裁金天成宣布与英伟达达成战略合作,共同开发专为人工智能(AI)设计的下一代固态硬盘(SSD)。这一合作标志着存储行业与AI算力领域的深度融合,或将颠覆现有数据存储与处理架构。

此次联合研发将充分整合双方技术优势。SK海力士将贡献其在存储介质与架构设计上的深厚积累,包括最新的XL-Flash超高速闪存颗粒与SLC缓存优化技术——该技术可使SSD延迟降低至传统产品的1/3,写吞吐量提升3倍。英伟达则将开放SCADA协议接口与GPU存储控制引擎的底层适配能力,确保SSD与下一代Rubin架构GPU形成无缝协同,这也是双方继HBM3E内存供应合作后的又一核心生态绑定。

金天成透露,双方联合研发的AI SSD将突破传统存储架构限制,通过PCIe 7.0接口直接连接GPU,实现数据传输的“零延迟”。该产品采用铠侠与英伟达共同开发的“HBF™堆叠技术”,将NAND闪存芯片垂直堆叠,形成类似HBM的高带宽存储模块。初步测试显示,其随机读取性能可达1亿IOPS(每秒输入输出操作数),较现有企业级SSD提升近100倍,而英伟达设定的终极目标为2亿IOPS。

“这款SSD不仅是存储设备,更是GPU的‘扩展内存池’。”金天成解释道。传统架构中,GPU需通过CPU中转数据,而新方案允许GPU直接调用SSD作为临时显存,特别适用于处理万亿参数级大模型时的突发数据需求。例如,在训练GPT-6级模型时,该技术可减少70%的数据搬运时间,显著提升算力利用率。

行业分析指出,此次合作背后是AI产业链上下游整合的必然趋势。随着三星、铠侠等存储厂商纷纷推出AI专用SSD产品,全球企业级SSD市场规模预计将从2024年的234亿美元增长至2028年的490亿美元,复合增速达16%。而SK海力士与英伟达的联手,将凭借“GPU控制+高速介质”的技术组合建立差异化优势。“这不仅能帮助英伟达突破Rubin芯片的存储配套瓶颈,也能让SK海力士在HBM之外,开辟AI存储的第二增长曲线。”市场研究机构TrendForce分析师林雨辰表示。

金天成在接受记者采访时补充道,双方还将针对AI数据的冷热分层存储需求开发智能管理系统,通过硬件加速技术实现训练数据、KV缓存与模型参数的动态调度,使数据中心的存储总拥有成本(TCO)降低20%以上。“下一代AI竞争的核心是存算协同能力,我们与英伟达的合作,就是要让存储不再是算力的‘追随者’,而是成为AI性能突破的‘助推器’。”