国产存储登顶全球！长鑫存储发布8000Mbps DDR5

日前，国内存储芯片领军企业长鑫存储正式推出新一代DDR5内存产品系列，以最高速率8000Mbps、最高单颗粒容量24Gb的核心性能指标刷新国产存储芯片纪录，技术参数全面对标国际一线品牌。此次同步发布的七大模组产品矩阵，覆盖服务器、工作站及个人电脑三大核心应用场景，标志着中国存储产业在高端市场实现关键突破。

技术参数领跑全球 性能指标比肩国际大厂

据官方披露，长鑫存储DDR5系列产品采用16nm先进制程工艺，通过创新电路设计与架构优化，实现最高速率8000Mbps的突破，较上一代DDR4提升60%以上，单颗粒容量最高达24Gb，较行业主流水平提升50%。该系列产品支持On-die ECC纠错、自适应刷新率调节等前沿技术，在数据传输稳定性与能效比方面达到国际领先标准。经第三方测试验证，其功耗较DDR4降低20%，在AI训练、大数据分析等高负载场景下性能优势显著。

全场景产品矩阵落地 七大模组精准卡位

针对差异化市场需求，长鑫存储同步推出七大DDR5模组产品：面向数据中心的高密度32GB/64GB RDIMM模组，支持多通道并行处理；针对工作站的32GB UDIMM模组，强化多任务处理能力；以及面向消费端的8GB/16GB SODIMM模组，兼顾性能与成本。特别值得关注的是，其发布的32GB单条模组采用24Gb颗粒堆叠技术，为国产内存首次实现单条容量突破，可显著降低服务器内存插槽占用率。

生态协同加速落地 国产供应链再进一步

此次新品发布同步获得产业链上下游企业支持。联想、华为、浪潮等头部厂商已启动兼容性测试，预计第三季度进入量产供货阶段。行业分析师指出，长鑫存储DDR5系列产品的推出，不仅填补了国产高端存储芯片的技术空白，更通过全场景覆盖策略，为国内服务器、PC厂商提供关键元器件自主可控解决方案。据市场研究机构TrendForce预测，随着DDR5渗透率提升，2025年全球市场规模将突破120亿美元，长鑫存储有望凭借技术先发优势抢占15%以上市场份额。

长鑫存储技术研究院负责人表示，公司已启动下一代DDR6研发项目，计划在速率突破10Gbps的同时，探索存算一体等前沿架构。此次DDR5系列产品的规模化商用，将为中国存储产业构建从设计到制造的完整生态体系奠定坚实基础。