长鑫存储正式发布LPDDR5X产品，速率突破10000Mbps大关

10月30日，长鑫存储官网发布重磅消息：公司已正式推出第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器LPDDR5X，标志着国产存储芯片在核心性能与封装技术领域实现重大突破。

速率登顶10667Mbps，性能比肩国际巨头

长鑫存储LPDDR5X产品最高速率达10667Mbps，较上一代LPDDR5提升66%，成为国内首款实现该速率量产的存储芯片。这一性能指标与SK海力士2024年10月量产的同规格产品完全对标，标志着国产存储芯片首次在高端速率领域与国际巨头同台竞技。目前，长鑫存储已形成覆盖8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps的完整速率梯队，其中8533Mbps和9600Mbps产品已于2025年5月实现量产，10667Mbps产品已启动客户送样。

在容量配置上，长鑫存储LPDDR5X提供多样化解决方案：单颗粒容量覆盖12Gb和16Gb，芯片形态支持12GB、16GB、24GB、32GB等容量点，模组形态的LPCAMM产品则提供16GB和32GB选项。这种多容量布局精准匹配AI手机、智能座舱、边缘计算等场景对大内存的需求，例如24GB和32GB版本可轻松支撑端侧AI大模型运行与多任务并行处理。



功耗降低30%，破解高频低耗难题

通过架构优化与制程升级，长鑫存储LPDDR5X在性能跃升的同时实现功耗显著下降。相较于LPDDR5，新产品功耗降低30%，在运行Llama 2等大型语言模型时，设备响应速度与语音转译效率提升显著。实测数据显示，搭载10667Mbps速率内存的旗舰手机可流畅支持8K视频连拍、高帧率游戏多开等高频场景，彻底摆脱对韩系内存的性能依赖。

这一突破源于长鑫存储对低功耗技术的深度攻关。在IEEE 2025 ASICON会议上，公司技术团队分享了带宽优化、电压控制、时钟树设计等关键技术路径，通过动态调整工作电压与频率，实现性能与功耗的精准平衡。

封装创新引领轻薄化浪潮，0.58mm超薄产品蓄势待发

长鑫存储此次发布的首创uPoP®小型封装技术，成为行业关注的另一焦点。该封装通过垂直堆叠设计显著缩小芯片体积，厚度较传统封装减少40%，可节省主板空间25%以上，为手机厂商塞入更大容量电池、多摄模组创造条件。更值得关注的是，公司正在研发的HiTPoP封装技术已进入量产前验证阶段，其0.58mm的厚度将刷新LPDDR5X封装纪录，较三星0.65mm、美光0.61mm的同类产品更具竞争力。

HiTPoP封装严格遵循JEDEC焊球布局标准，确保与现有主板设计无缝兼容，同时通过减薄技术有效改善因SoC温升导致的DRAM高速IO性能瓶颈。这一创新不仅提升散热效率，更避免高负载下的性能降频，为5G终端、折叠屏手机等高端设备提供稳定性能保障。

加速国产化替代，重构全球存储生态

长鑫存储LPDDR5X的量产具有双重战略意义：一方面，其性能突破标志着国产存储从“能造”向“造好”跨越，技术差距缩短至1年以内；另一方面，uPoP封装技术与国产SoC厂商的异构集成能力形成合力，推动“存储+主控”高性能低功耗方案落地，加速终端设备国产化替代进程。

据行业分析，随着长鑫存储产能爬坡，LPDDR5X有望在2026年实现全品类量产，年出货量突破1亿颗。这一进程不仅将重塑移动存储市场格局，更将为中国电子产业构建自主可控的关键供应链，在AI算力竞赛中抢占战略制高点。