ASML 2027年光刻机交付计划曝光：10台High-NA EUV与56台EUV

近日，光刻机巨头ASML披露最新交付规划，预计2027年将向客户交付10台High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）和56台Low-NA EUV（低数值孔径极紫外光刻机）设备。这一数据较此前市场预期显著提升，反映出全球半导体行业对先进制程节点的持续投入，尤其是英特尔、三星、SK海力士等大厂在埃米级（1nm以下）工艺竞赛中的加速布局。根据ASML的评估，目前EUV光刻机的采购周期长达一年以上，客户需提前数年作出采购承诺。

High-NA EUV：英特尔领衔，埃米级制程进入倒计时

根据ASML的订单信息，2027年High-NA EUV光刻机的交付量将从原计划的8台增至10台，其中英特尔的订单量从1台追加至2台。这一调整与英特尔近期对Intel 14A制程（1.4nm）的资本支出加码密切相关。作为全球首款面向埃米级工艺的光刻机，High-NA EUV的分辨率高达8nm，支持单次曝光实现1.7倍的元件尺寸缩小，晶体管密度较传统EUV提升2.9倍。

英特尔已明确将High-NA EUV用于2026-2027年量产的14A制程，该节点被视为其重返芯片制造技术巅峰的关键。此前，英特尔于2024年4月完成全球首台商用High-NA EUV光刻机的组装，并宣布将其部署在俄勒冈州D1X工厂。与此同时，SK海力士也追加了一台High-NA EUV订单，总量增至2台，主要用于HBM4等高端存储芯片的生产。

Low-NA EUV：台积电、三星主导，3nm/2nm制程持续扩容

在Low-NA EUV领域，ASML计划2027年交付56台设备，较此前预期增加4台。其中，台积电和三星是主要采购方。台积电虽未在量产制程中导入High-NA EUV，但其对Low-NA EUV的需求持续旺盛。据供应链消息，台积电今明两年将接收超60台EUV光刻机，相关投资超4000亿新台币，大部分订单将于2026年后交付。

三星方面，其追加的2台Low-NA EUV订单（总量增至7台）将用于支持3nm GAA（环绕栅极）工艺的扩产。目前，三星已利用EUV光刻机实现3nm芯片的量产，并计划通过增加设备投入缩小与台积电的技术差距。

行业影响：光刻机竞争进入“埃米时代”

ASML的交付计划调整，标志着全球半导体制造正式迈入埃米级工艺时代。High-NA EUV的单台价格高达3.7亿美元，仅台积电、英特尔、三星等少数大厂能够负担。这一技术壁垒将进一步巩固头部企业的竞争优势，同时加剧中小厂商的边缘化。

对于中国而言，ASML的EUV光刻机仍受出口管制限制，但国内厂商正通过多重曝光、NIL（纳米压印）等替代技术突破制程瓶颈。例如，佳能与铠侠合作的NIL技术已实现5nm级电路线宽，且单个晶圆功耗仅为EUV光刻的十分之一。