英飞凌与罗姆签署SiC封装合作备忘录 共推功率器件兼容性与供应链弹性

9月25日，英飞凌科技股份公司（Infineon）与罗姆（ROHM）联合宣布，双方已正式签署谅解备忘录，旨在建立碳化硅（SiC）功率器件封装合作机制。这一突破性合作将推动双方在特定SiC功率器件封装领域互为第二供应商，为车载充电器、可再生能源、储能系统及AI数据中心等高端应用场景的客户提供更灵活的采购选择与设计兼容性。

根据合作内容，罗姆将采用英飞凌创新的SiC顶部散热平台，包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK等封装类型。该平台通过统一2.3mm的标准化高度，显著简化散热设计流程，降低系统成本，并实现最高两倍的功率密度提升。同时，英飞凌将引入罗姆的半桥结构SiC模块“DOT-247”封装技术，其独特设计可较传统TO-247封装降低约15%热阻和50%电感，功率密度提升至2.3倍。这一技术交换不仅丰富了双方的产品组合，更确保了客户在元件替换时的无缝兼容性，大幅降低供应链中断风险。

英飞凌与罗姆将互为对方特定SiC功率器件封装的第二供应商。客户可同时采购两家公司兼容封装的产品，实现无缝切换。这一模式显著降低了设计周期与采购风险，尤其适用于对供应链稳定性要求严苛的汽车与工业领域。

英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer强调，此次合作将加速碳化硅功率器件的普及，为客户在设计与采购环节提供更多元的选择，同时推动高能效解决方案在低碳化进程中的落地。罗姆功率器件事业部负责人伊野和英则表示，协同创新是提升客户满意度的关键，双方将通过技术共享降低系统复杂性，共同开拓功率电子行业的新前景。

合作计划未来将进一步扩展至硅基及宽禁带功率技术（如SiC、GaN）的更多封装形式，深化双方在高效能源转换领域的战略布局。SiC功率器件凭借其高效的电力转换效率、卓越的可靠性与小型化设计优势，正成为电动汽车充电、可再生能源及AI数据中心等高功率应用的核心需求。英飞凌与罗姆的此次联手，不仅强化了双方在全球半导体市场的竞争力，亦为行业迈向低碳化与高密度能源管理注入新动力。