东芝推出采用最新一代工艺[1]技术的100V N沟道功率MOSFET，助力提高工业设备开关电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用，适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。



100V U-MOS11-H系列优化了器件结构，进一步改善了U-MOSX-H系列的漏源导通电阻（RDS(ON)）、总栅极电荷（Qg）以及这两者（RDS(ON)×Qg）之间的平衡，从而降低了导通及开关损耗。

与U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低了约8%，Qg降低了37%，RDS(ON)×Qg改善了42%。此外，它还可通过应用寿命控制技术实现高速体二极管性能，从而降低反向恢复电荷（Qrr）并抑制尖峰电压。与TPH3R10AQM相比新产品的Qrr改善约38%，RDS(ON)×Qrr改善约43%。这些业界领先的RDS(ON)×Qg和RDS(ON)×Qrr平衡特性可最大限度降低功耗，从而提高电源系统的效率和功率密度。新产品还采用SOP Advance (N)封装，具有与行业标准高度兼容的贴装特性。

东芝现在还提供以下两款电路设计支持工具：可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型，以及可精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

未来东芝将继续扩大其低损耗MOSFET的产品线，为实现更高效的电源以及降低设备功耗做出贡献。

        应用：
-        数据中心和通信基站等工业设备的电源
-        开关电源（高效率DC-DC转换器等）

        特性：
-        低漏源导通电阻：RDS(ON)＝2.7mΩ（最大值）（VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）
-        低总栅极电荷：Qg＝52nC（典型值）（VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A、Ta＝25°C）
-        低反向恢复电荷：Qrr＝55nC（典型值）（IDR＝50A、VGS＝0V、–dIDR/dt＝100A/μs、Ta＝25°C）


        主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25°C）


器件型号TPH2R70AR5
绝对最大额定值漏极-源极电压VDSS（V）100
漏极电流（DC）ID（A）Tc＝25°C190
结温Tch（°C）175
电气特性漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）VGS＝10V、ID＝50A最大值2.7
VGS＝8V、ID＝50A最大值3.6
总栅极电荷Qg（nC）VDD＝50V、VGS＝10V、ID＝50A典型值52
栅极开关电荷Qsw（nC）典型值17
输出电荷Qoss（nC）VDD＝50V、VGS＝0V、f＝1MHz典型值106
输入电容Ciss（pF）VDS＝50V、VGS＝0V、f＝1MHz典型值4105
反向恢复电荷Qrr（nC）IDR＝50A、VGS＝0V、–dIDR/dt=100A/μs典型值55
封装名称SOP Advance(N)
尺寸（mm）典型值5.15×6.1
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注：
截至2025年9月，东芝的低压功率MOSFET工艺。东芝调查。
寿命控制技术：通过使用离子束在半导体中引入缺陷，故意缩短载流子寿命，可提高开关速度，进而可提高二极管的恢复速度并降低噪声。
截至2025年9月，与其他适用于工业级100V N沟道功率MOSFET相比。东芝调查。
RDS(ON)×Qg＝120mΩ·nC（典型值），RDS(ON)×Qrr＝127mΩ·nC（典型值）

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