小封装大IPP,华悦芯双向TVS器件HSESD0541P0-N支持最高30KV的静电放电测试
2025年09月15日 19:55 发布者:chrisncheng
随着便携产品的小型化,功能的复杂化,在印制电路板上给保护电路预留的位置越来越小。相反,在多功能及上电的情况下,保护电路需要承受的峰值浪涌电流越来越大。如何实现小封装的前提下,保证较大峰值浪涌电流耐受能力,除了半导体芯片本身的设计,也离不开封装可靠性的提升和封装散热能力的改善。为了实现小封装,大浪涌电流耐受能力,高封装可靠性需求,华悦芯推出了HSESD0541P0-N产品。该产品采用新型PLP封装技术,在有限的封装面积内实现了放置大版面芯片的可能。通过铜微孔连接接技术,增加芯片和连接线处接触面积,使用湿法铜蚀刻技术,取代传统的打线方案,减少封装引入的阻抗,最大限度利用空间增加散热,保证在芯片小封装里也有很强的表现。同时器件引脚焊盘采用镍金工艺,有效改善DFN0603(0201)器件的焊接可靠性问题。
华悦芯HSESD0541P0-N器件作为双向TVS,其封装为DFN0603(0201),5V最大工作电压,只需要极小的空间,就能支持最大22A的IPP,并且此时钳位电压典型值为9V. 该方案支持最高30KV的静电放电测试,低钳位电压,高保证了更好的浪涌&静电防护效果。器件结电容典型值为30pF,满足DC端口和中低频通讯应用的大部分需求。
https://files.sekorm.com/opt/fileStore/portal/ecdoc/editor/20250902/1756820343758084117.png作为一家功率器件及EMC解决方案供应商,华悦芯秉承着为客户寻找最合适的解决方案,提出最可靠的物料选择方向,提供最完美的芯片参数和品质。努力探索更优秀的芯片及封装设计,发掘创新,为客户提供更好的选择。
HSESD0541P0-N推荐应用:网络机顶盒,光模块,便携式仪器,手持设备,仪器仪表,工业检测摄像头,基站射频模块,医疗仪器。