单芯100A SiC二极管实现百安通流，直击多管并联核心痛点，打造更简洁、更稳健的高功率系统。

为实现100A级二极管续流能力而采用多管并联，是否正让您的设计陷入均流调试、布局复杂和可靠性担忧的困境？爱仕特科技量产推出的 ASC100D1200DT2（1200V/100A SiC肖特基二极管），以单管实现百安通流，直击多管并联核心痛点，助力工程师打造更简洁、更稳健的高功率系统。
ASC100D1200DT2介绍，ASC100D1200DT2关键参数 。

碳碳化硅（SiC）Schottky diode具有抗浪涌电流能力强、高温反向漏电低、低正向导通压降、零反向恢复、175℃工作结温等特性。单管解决方案的直接优势直接替代，消除并联风险
1： 国内首批量产1200V/100A TO247-2封装碳化硅二极管。
2：一颗直接替代3-4颗较低电流SiC Diode或Si FRD的并联方案，从根源上杜绝了动态与静态均流难题，彻底消除因电流不均导致的局部过热和失效风险。 显著简化设计与采购 1：PCB布局极大简化：节省宝贵的板卡面积，减少驱动回路和均流电阻等外围元件，降低布线复杂度。 2： 供应链管理更高效：BOM器件数量减少，采购、备料和生产贴装流程得以简化。优异的散热与通流能力 1：TO247-2封装为单芯大电流优化设计，提供优良的散热路径。 2：结温耐受175℃，高结温下仍能保证出色的电流输出能力，提升系统整体鲁棒性和过载潜力。 告别并联时代的困扰对比多管并联方案的核心优势

碳化硅材料带来的性能提升 • 零反向恢复损耗 (Qrr≈0)：彻底消除开关损耗尖峰，提升系统效率（尤其在高频应用中），并减小开关应力。 • 高温特性优异：支持更高环境温度运行，有助于减小散热器尺寸或提升输出功率。
ASC100D1200DT2的核心价值在于其自身的高电流密度特性，它为系统设计工程师提供了更优的基础选项： 提升可靠性 • 通过“减法”消除多管并联这一重大风险点。 简化设计 • 让工程师专注于拓扑和创新，而非繁琐的并联调试。 释放潜力 • 凭借碳化硅的固有优势，为系统的高效、高频、高温运行奠定基础。 它代表了从“如何实现大电流”到“如何更好地利用大电流”的设计思维转变。碳化硅肖特基二极管的亮点表现：更高电流密度、更低Qc：第三代二极管具有更高电流密度、更低Qc，使其在真实应用环境中开关损耗更低。更强浪涌能力：通过工艺及设计迭代优化，第三代二极管实现了更高的浪涌能力。更低成本：更高的电流密度带来更小的芯片面积，使得器件成本较前两代二极管进一步降低。更高产量： 使用6英寸晶圆平台，单片晶圆产出提升至4英寸平台产出2倍以上。碳化硅二极管（SiC SBD)产品概览

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