Intel大连Fab 68晶圆厂完成更名,SK海力士全面接管中国存储基地

2025年09月05日 14:36    发布者:eechina
近日,位于辽宁省大连市金普新区的Intel Fab 68闪存晶圆厂正式完成企业更名手续,原“英特尔半导体存储技术(大连)有限公司”更名为“爱思开海力士半导体存储技术(大连)有限公司”。这一变更标志着SK海力士自2020年启动的90亿美元收购案正式收官,Intel彻底退出全球NAND闪存市场,中国存储产业格局迎来新变量。

收购历程:五年磨一剑的资本博弈

2020年10月,SK海力士宣布以90亿美元收购Intel NAND闪存业务,涵盖大连Fab 68晶圆厂、SSD业务及核心知识产权。该交易分两阶段推进:2021年12月,SK海力士完成首期70亿美元交割,接管大连工厂资产及SSD业务;2025年3月,随着Intel Asia Holding Limited退出股东行列,SK海力士旗下爱思开海力士半导体(大连)有限公司成为全资股东,支付剩余20亿美元完成终局收购。此次更名是股权交割后的法定程序,企业注册地址仍为大连经济技术开发区淮河东路109-2号,但品牌标识已全面切换为SK海力士旗下Solidigm LOGO。

技术整合:3D NAND产能与研发双升级

SK海力士接管后,大连工厂迅速启动技术迭代。2022年5月,新3D NAND闪存芯片生产线开工,采用176层堆叠技术,单芯片容量达1Tb,较前代提升33%。2023年,工厂实施26个节能减排项目,实现年节电6400万度、节水165万吨,单位产能能耗下降18%。据SK海力士披露,大连基地已纳入其全球存储研发网络,与韩国利川、美国圣克拉拉实验室协同开发238层及以上超高层堆叠技术,目标2026年实现量产。

政策变局:美对华技术管制冲击大连基地

此次收购的监管环境发生重大变化。2022年10月,美国商务部对三星、SK海力士中国工厂实施“无限期豁免”,允许其进口美国半导体设备。然而,该政策于2024年12月悄然终止,大连Fab 68成为受影响最大的晶圆厂。据行业分析,政策收紧可能导致大连基地无法引入EUV光刻机等先进设备,制约其向192层以上技术节点升级。SK海力士回应称,将通过“双基地策略”应对挑战:利川工厂主攻前沿技术研发,大连工厂聚焦成熟制程量产,2025年产能利用率维持在90%以上。

产业影响:中国存储生态的机遇与隐忧

大连基地更名折射出中国存储产业的结构性变迁。一方面,SK海力士的持续投入巩固了大连作为全球存储重镇的地位——该工厂现有员工3971人,2024年产值突破120亿美元,占大连市集成电路产业总产值的65%。另一方面,Intel退出后,中国NAND市场形成“三星西安+SK海力士大连+长江存储武汉”的三足鼎立格局,但高端技术仍依赖外资。专家指出,大连基地需加快培养本土技术团队,在3D NAND架构、存储控制器芯片等领域实现突破,才能避免陷入“低端锁定”陷阱。

未来展望:AI存储需求驱动新增长

SK海力士计划将大连基地打造为AI存储解决方案中心。随着生成式AI服务器对高带宽存储(HBM)需求激增,大连工厂已启动HBM3E量产线改造,预计2026年贡献营收的15%。公司CEO朴正浩在财报会议上强调:“大连基地的12英寸晶圆产线可无缝切换至HBM生产,这是其他竞争对手难以复制的优势。”据TrendForce预测,2025年全球NAND闪存市场规模将达689亿美元,其中AI相关需求占比将超过30%,大连基地有望在这一浪潮中占据关键席位。