东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

－三款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。



三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。

此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗，从而降低开关损耗。作为一款4引脚封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%，有助于降低设备功耗。

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

第3代SiC MOSFET封装产品线


     类型  封装
  通孔类  TO-247
  TO-247-4L
  表面贴装类  DFN8×8
  TOLL




测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。（东芝截至2025年8月的比较）
图1：TO-247与TOLL封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较

        应用：
-        服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源
-        电动汽车充电站
-        光伏逆变器
-        不间断电源

        特性：
-        表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
-        东芝第3代SiC MOSFET
•        通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
•        低漏源导通电阻×栅漏电荷
•        低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

        主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25°C）


         器件型号  TW027U65C  TW048U65C  TW083U65C
  封装  名称  TOLL
  尺寸（mm）  典型值  9.9×11.68×2.3
  绝对最大额定值  漏极-源极电压VDSS（V）  650
  栅极-源极电压VGSS（V）  –10至25
  漏极电流（DC）ID（A）  Tc＝25°C  57  39  28
  电气特性  漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）  VGS＝18V  典型值  27  48  83
  栅极阈值电压Vth（V）  VDS＝10V  3.0至5.0
  总栅极电荷Qg（nC）  VGS＝18V  典型值  65  41  28
  栅极-漏极电荷Qgd（nC）  VGS＝18V  典型值  10  6.2  3.9
  输入电容Ciss（pF）  VDS＝400V  典型值  2288  1362  873
  二极管正向电压VDSF（V）  VGS＝–5V  典型值  –1.35
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注：
截至2025年8月。
电阻、电感等。
一种信号源终端靠近FET芯片连接的产品。
截至2025年8月，东芝测量的值。请参考图1。
采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的第3代650V SiC MOSFET

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TW027U65C
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TW048U65C
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TW083U65C
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SiC功率器件
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