SK海力士全球首发高效散热移动DRAM 采用High-K EMC材料革新散热技术​

SK海力士今日宣布，已成功开发并启动量产全球首款采用“High-K EMC”材料的移动DRAM产品，并开始向全球客户批量供货。这一突破性技术通过革新半导体封装材料，将移动设备散热效率提升至新高度，为端侧AI（On-Device AI）时代的高性能计算需求提供关键解决方案。

技术突破：热导率提升3.5倍，热阻降低47%

SK海力士此次推出的移动DRAM产品，核心创新在于封装材料领域的突破。传统DRAM封装中使用的环氧模封料（EMC）以二氧化硅（Silica）为主要成分，而SK海力士通过引入氧化铝（Alumina）复合材料，开发出新一代“High-K EMC”材料。该材料热导率较传统材料提升3.5倍，使垂直导热路径的热阻降低47%，显著优化了芯片内部的热量传导效率。

技术团队负责人李圭济副社长指出：“随着端侧AI模型在智能手机中普及，处理器与DRAM协同处理数据时产生的热量积聚已成为性能瓶颈。通过材料创新，我们成功将热量从DRAM核心区域快速导出，避免因过热导致的算力衰减。”

行业痛点：PoP封装结构下的散热困局

当前旗舰级智能手机普遍采用PoP（Package on Package）封装技术，将DRAM垂直堆叠于移动处理器上方。这种设计虽能节省空间并提升数据传输速率，但处理器产生的热量会直接传导至DRAM层，形成“热岛效应”。测试数据显示，在连续运行大型AI模型时，传统DRAM核心温度可达75℃以上，导致系统主动降频以保护硬件，性能损失最高达30%。

SK海力士的解决方案直击这一痛点。第三方实验室验证表明，搭载High-K EMC材料的DRAM在相同工况下核心温度降低12℃，系统降频频率减少80%，同时整机功耗下降7%。这一改进不仅延长了设备续航时间，更通过稳定算力输出提升了AI应用的实时响应能力。

市场反响：全球客户抢先部署

据供应链消息，三星、小米、OPPO等头部手机厂商已将该产品纳入下一代旗舰机型研发计划。某国产手机品牌硬件总监透露：“我们正在测试搭载SK海力士新DRAM的原型机，在4K视频渲染、多模态AI交互等高负载场景中，设备表面温度较前代降低4℃，用户握持体验显著改善。”

存储芯片行业分析师指出，SK海力士此次技术迭代恰逢端侧AI爆发窗口期。预计到2026年，全球智能手机AI算力需求将增长5倍，而散热效率已成为制约计算性能的关键因素。“SK海力士通过材料科学突破，重新定义了移动DRAM的技术标准，有望在高端市场获得20%以上的份额提升。”

战略布局：巩固新一代存储技术领导地位

此次产品发布延续了SK海力士在先进制程与材料创新领域的双重优势。2021年，该公司率先量产第四代10纳米级（1a）DRAM，并通过EUV光刻技术实现晶圆产能提升25%。此次High-K EMC材料的商业化，标志着其技术布局从制程微缩向材料科学深度拓展。

李圭济强调：“我们正在构建‘制程-材料-架构’三位一体的创新体系。未来三年，SK海力士将投入1.2万亿韩元（约合62亿元人民币）研发新一代散热材料，目标在2028年前将DRAM热导率再提升2倍。”

随着5G-A与6G网络建设加速，端侧AI设备对存储性能的要求持续攀升。SK海力士的这次技术突破，不仅为移动计算产业提供了散热解决方案，更预示着半导体材料创新将成为下一代电子设备竞争的核心赛道。