SK海力士全球首发321层2Tb QLC NAND闪存

8月25日，SK海力士正式宣布完成全球首款321层2Tb（太比特）QLC NAND闪存产品的开发并启动量产。这一突破性成果不仅刷新了NAND闪存层数纪录，更通过架构创新与能效优化，为AI数据中心、企业级存储及消费电子市场提供了兼具大容量与高性能的解决方案，标志着存储技术向更高密度、更低功耗方向迈出关键一步。

技术突破：321层堆叠与架构革新双管齐下

作为全球首款突破300层门槛的QLC产品，321层NAND采用SK海力士第五代4D NAND技术，通过垂直堆叠321层存储单元实现单芯片容量达2Tb，较前代产品翻倍。为应对大容量带来的性能衰减问题，研发团队创新性地将芯片内独立运行单元“平面”（Plane）数量从4个扩展至6个。这一调整使并行处理能力提升50%，数据传输速度翻倍至3.2GB/s，写入性能最高提升56%，读取性能提升18%，同时写入功耗效率优化23%以上。

“通过平面扩展与层数突破的协同设计，我们成功解决了QLC存储密度与性能的固有矛盾。”SK海力士NAND开发部门负责人郑羽杓表示，“该产品在保持QLC成本优势的同时，性能指标已接近TLC产品水平，尤其适合AI训练场景下海量数据的快速读写需求。”

产业布局：从PC到AI数据中心的全面渗透

根据规划，321层QLC NAND将分阶段推向市场：2025年第四季度率先应用于PC固态硬盘（SSD），2026年上半年拓展至企业级SSD（eSSD）及智能手机嵌入式存储（UFS），并依托独有的32DP封装技术（单封装集成32颗芯片）进军超高容量eSSD市场。这一技术可实现单封装128TB存储容量，较现有产品集成度提升100%，直指AI服务器对海量数据存储的核心需求。

市场研究机构TrendForce分析指出，随着生成式AI训练数据量以每年40%的速度增长，数据中心对高性价比大容量存储的需求持续攀升。SK海力士321层QLC NAND凭借单位GB成本降低30%的优势，有望在2026年占据全球QLC市场45%份额，并推动企业级SSD市场中QLC渗透率突破20%。

生态协同：全栈AI存储战略再升级

此次量产标志着SK海力士“全栈AI存储提供商”战略进入新阶段。公司同步宣布与三大云服务商完成产品验证，其321层QLC NAND已成功应用于AI训练集群的冷数据存储层，实测显示在128KB块大小下，随机读取延迟较HDD降低98%，能效比提升8倍。此外，通过与自研HBM内存的协同优化，SK海力士可为AI服务器提供从高速缓存到持久化存储的全链路解决方案。

“AI算力的指数级增长对存储系统提出双重挑战：既要支撑EB级数据存储，又要满足实时分析需求。”SK海力士副社长Jeong Woopyo强调，“321层QLC NAND的量产使我们成为业内唯一同时掌握先进制程NAND与HBM技术的企业，这将为AI基础设施带来革命性变革。”

据悉，SK海力士已启动400层以上NAND技术的预研工作，并计划在2027年前将32DP封装技术扩展至64层芯片集成，持续巩固其在存储密度领域的领先地位。随着AI、5G与物联网的深度融合，这场由层数突破引发的存储产业变革，或将重新定义未来十年的数据基础设施格局。