东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

－四款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。四款器件于今日开始支持批量出货。



四款新器件是首批采用小型表贴DFN8×8封装的第3代SiC MOSFET的器件，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封装相比，其体积减小90%以上，并提高了设备的功率密度。表贴封装还允许使用比通孔型封装更小的寄生阻抗元件，从而降低开关损耗。DFN8×8是一种4引脚封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少了封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；以TW054V65C为例，与东芝现有产品相比，其开通损耗降低了约55%，关断损耗降低约25%，有助于降低设备中的功率损耗。

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。


测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH，Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极和漏极之间的二极管。（截至2025年5月，东芝对比结果）
图1 TO-247与DFN8×8封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较

        应用：
-        服务器、数据中心、通信设备等的开关电源
-        电动汽车充电站
-        光伏逆变器
-        不间断电源

        特性：
-        DFN8×8表面贴装封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
-        东芝第3代SiC MOSFET
-        通过优化漂移电阻和沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
-        低漏源导通电阻×栅漏电荷
-        低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

        主要规格：


          器件型号  TW031V65C  TW054V65C  TW092V65C  TW123V65C
  封装  名称  DFN8×8
  尺寸（mm）  典型值  8.0×8.0×0.85
  绝对最大额定值  漏极-源极电压VDSS（V）  650
  栅极-源极电压VGSS（V）  –10至25
  漏极电流（DC）ID（A）  Tc＝25°C  53  36  27  18
  电气特性  漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ）  VGS＝18V  典型值  31  54  92  123
  栅极阈值电压Vth（V）  VDS＝10V  3.0至5.0
  总栅极电荷Qg（nC）  VGS＝18V  典型值  65  41  28  21
  栅极-漏极电荷Qgd（nC）  VGS＝18V  典型值  10  6.2  3.9  2.3
  输入电容Ciss（pF）  VDS＝400V  典型值  2288  1362  873  600
  二极管正向电压VDSF（V）  VGS＝–5V  典型值  –1.35
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注：
截至2025年5月。
电阻、电感等。
一种信号源引脚靠近FET芯片连接的产品。
截至2025年5月，东芝测量值。请参考图1。
采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的650V东芝第3代SiC MOSFET。

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TW031V65C
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TW054V65C
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TW092V65C
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TW123V65C
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SiC功率器件
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