清纯半导体发布第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台 主驱芯片导通电阻刷新行业标杆​

国内第三代半导体企业​​清纯半导体​​今日宣布成功推出第三代碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术平台，并发布首款主驱芯片​​S3M008120BK​​。该芯片在常温下的导通电阻（R ON​）低至​​8mΩ​​，比导通电阻系数（Rsp）优化至​​2.1 mΩ·cm²​​，达到国际先进水平。这一突破标志着国产碳化硅器件性能全面对标国际领先厂商，进一步推动新能源汽车、光伏储能等高压高频场景下的能源效率升级。

​​技术创新：Rsp全球领先，动态性能全面优化​​

第三代碳化硅MOSFET技术平台深度融合多项专利设计，通过材料结构与制造工艺的协同创新，实现了导通电阻与动态特性的双重突破。

​​1、性能指标领跑行业​​
​​超低导通电阻​​：S3M008120BK芯片导通电阻低至​​8mΩ​​，比导通电阻系数Rsp仅为​​2.1 mΩ·cm²​​（较上一代降低约20%），刷新同类产品世界纪录。
​​高温稳定性强​​：在​​175℃高温环境​​下，导通电阻仅上升约50%，确保高功率场景下的可靠性。
​​动态损耗优化​​：通过改进体二极管恢复特性，反向恢复电流峰值Irrm降低近​​30%​​，电压过冲现象显著改善，开关速度提升15%-20%。


清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化

​​2、兼容性与可靠性并存​​
该芯片延续前两代产品的低短路耐受特性，通过IEC 60747-17标准认证，并满足-40℃至175℃宽温域运行需求，适配新能源汽车电驱系统、光伏逆变器等严苛场景。

​​市场需求驱动：降本增效应对行业“效率瓶颈”​​

近年来，新能源汽车、储能系统及工业电源市场对高效功率器件的需求激增。然而，传统硅器件在高电压、高频应用中面临损耗高、散热难等问题。清纯半导体第三代技术通过降低导通损耗和开关损耗，助力终端产品实现以下升级：

​​新能源汽车​​：采用S3M008120BK电驱逆变器的车辆，续航里程有望提升​​5%-10%​​，800V高压平台快充效率进一步提高。
​​光伏储能​​：高频化MOSFET减少无源器件体积，系统功率密度提升超​​10%​​，助力全球碳中和目标推进。


S3M008120BK芯片输出特性

据TrendForce数据显示，全球碳化硅器件市场规模预计2026年突破​​89亿美元​​，中国市场占比将超​​40%​​。清纯半导体的技术突破恰逢其时，为其在高端市场抢占份额奠定基础。

​​产业化布局：从设计到量产，加速国产替代​​

清纯半导体采取“设计+代工”协同模式，与国内头部晶圆厂深度合作，确保技术快速落地。第三代产品已完成车规级AEC-Q101认证，并进入主流车企验证阶段。公司CEO表示：“我们将持续扩大产能，计划2025年底实现第三代产品月产能突破​​2万片/月​​，满足新能源行业爆发式增长需求。”

​​行业反响：技术对标国际，供应链自主可控​​

业内专家认为，清纯半导体的技术迭代速度与产业化能力已跻身全球第一梯队。对比国际厂商，其产品在性能、可靠性及成本维度形成差异化竞争优势：

​​技术对标​​：Rsp参数超越国际龙头Wolfspeed、英飞凌同代产品。
​​成本优势​​：依托本土供应链与规模化生产，器件价格降低​​30%-40%​​。
​​生态建设​​：已与国内30余家客户达成深度合作，覆盖新能源汽车、光伏、充电桩等领域。