Polar Semiconductor与瑞萨电子达成战略协议，授权硅基氮化镓D型技术

美国Polar Semiconductor公司与日本瑞萨电子株式会社（Renesas）近日共同宣布，双方已达成一项重要战略协议。根据协议，Polar Semiconductor将获得瑞萨电子的硅基氮化镓D型（GaN-on-Si）技术授权，并将在其位于明尼苏达州的8英寸车规级量产工厂为瑞萨电子及其他客户提供650V高压硅基氮化镓器件的生产服务。

此次合作标志着Polar Semiconductor与瑞萨电子在半导体领域的深度合作迈出了坚实的一步。Polar Semiconductor作为美国唯一一家专门从事传感器、电源和高压半导体代工的厂商，拥有深厚的技术积累和丰富的生产经验。而瑞萨电子则是全球领先的半导体解决方案供应商，在嵌入式处理、模拟、电源及连接方面具备专业知识，提供完整的半导体解决方案。

硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺，具有优异的性能和成本效益。与传统的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术相比，硅基氮化镓技术可提供更高的功率效率、更大的功率密度以及更好的可扩展性，广泛应用于射频通信、电源管理、汽车电子等领域。

Polar Semiconductor明尼苏达州工厂最近完成了最先进的加工和自动化设备的扩建，旨在满足对下一代半导体解决方案日益增长的需求。该工厂将利用这些先进设备，为瑞萨电子及其他客户生产高质量的650V高压硅基氮化镓器件。

Polar Semiconductor总裁兼首席运营官Surya Iyer表示：“这项许可和商业生产协议强调了我们对加强美国半导体生态系统的承诺。GaN是电源和射频领域改变游戏规则的技术，与瑞萨电子合作，我们有能力提高商业生产，推动下一波半导体创新。通过此次合作，我们将共同扩大GaN器件的商业生产规模，覆盖汽车电子、数据中心、工业能源、消费电子及航空航天与国防等关键领域。”

瑞萨电子电源产品集团高级副总裁兼总经理Chris Allexandre也对此次合作表示了高度赞赏：“我们很高兴与Polar合作，将我们经过验证的氮化镓技术扩展到200毫米晶圆，并在广泛的电源转换市场中利用我们的专业知识。此次合作确保了美国本土GaN制造能力，并为我们的客户构建多源供应体系，满足对高性能电源解决方案日益增长的需求。”