技术落后、市场下滑，韩国半导体大败退

据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。除了三星，ZDNET Korea还强调，韩国另一大存储芯片巨头SK海力士的下一代NAND闪存芯片的核心专利，也需要依赖中国，预计SK海力士也将与中国存储芯片厂商签署专利协议。
业内人士指出，目前掌握3D NAND混合键合关键专利的公司主要来自美国和中国，而三星、SK海力士等韩国半导体企业几乎无法绕开中国半导体企业的专利布局。
与此同时，市场研究公司Gartner的最新数据显示，三星电子正面临DRAM和NAND闪存盈利能力下滑的困境，业绩表现欠佳。多重因素叠加，使得三星不得不正视自身在专利方面的局限性，并与中国半导体企业达成合作，以提升其存储板块的竞争力。随着中国半导体企业的崛起，韩国多家半导体企业已经在专利布局上落入下风。集微咨询发布的《2024年中国大陆半导体制造企业专利实力榜单》显示，中芯国际、长鑫存储、长江存储、华虹宏力等企业名列前茅。在国际视野榜单中，长鑫存储和长江存储分别位列第一、第二位，其多元专利布局体现出积极参与国际行业进步的战略眼光。
知识产权法律公司Mathys&squire的最新报告也显示，2023-2024年中国专利申请数量猛增42%，从32840件增至46591件，同比增长42%，在所有地区中增长最为强劲，超过包括韩国在内的其他地区。这表明中国半导体行业在中美技术竞争的背景下展现出强大韧性。
面对增长困境，韩国半导体行业也在反思。据韩联社23日报道，韩国科技评估与规划研究院（KISTEP）发布的一份调查显示，韩国在大多数半导体技术领域已被中国赶超。例如，在高集成度、低阻抗存储技术方面，韩国得分为90.9%，低于中国的94.1%；在高性能、低功耗AI半导体领域，韩国得分为84.1%，落后于中国的88.3%。此外，在功率半导体和新一代高性能传感技术方面，韩国也均落后于中国。
与此同时，韩国半导体行业的“最后防线”——HBM板块也面临来自中美的压力。美光目前已向英伟达的AI芯片供应8层HBM3E芯片，尽管其市场份额仍远低于12层HBM3E芯片的领导者SK海力士，但领先于三星电子的HBM产品和市场进度。近日还有消息指出，美光即将开始量产其12层堆栈的HBM，并将其供应给英伟达。然而，美光在赶超了三星电子之后，如今还正努力在今年晚些时候几乎与SK海力士同步量产16层HBM3E。国内方面，专家指出，中国Deepseek的出现也将对韩国HBM产业构成重大冲击。Deepseek证明，AI模型可以在较低规格的HBM支持下实现高性能。如果越来越多的AI企业效仿Deepseek，采用低成本、低规格芯片来实现高性能AI模型，韩国高端HBM的市场需求将受到更严重的冲击。中国企业尽管在HBM领域依然落后韩国企业，但正加速追赶，试图在HBM等高附加值领域实现突破。此外，中国企业在AI芯片设计、封装测试等领域的进步，也为HBM的国产化奠定了基础。
韩国半导体企业在复杂的局势下，正面临着技术赶超和市场竞争力上的双重压力。而这对于中国半导体行业而言是一个重大的机遇，尽管美国政府在半导体领域施加了全方位的压力，但凭借自身的技术积累和突破，中国企业或将能捕捉更多机会。