东芝推出符合AEC-Q100标准的车载标准数字隔离器

－利用高共模瞬态抑制和高速数据信息通信实现稳定运行－

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出东芝首批面向车载应用的4通道高速标准数字隔离器产品线——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件，具有100 kV/μs（典型值）的高共模瞬态抑制（CMTI）和50 Mbps（最大值）的高速数据传输速率，支持稳定运行。所有器件均符合面向车载电子组件安全性和可靠性的AEC-Q100标准。该系列10款产品于今日开始支持批量出货。



为了确保混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）中使用的车载充电器（OBC）和电池管理系统（BMS）的安全性和可靠性，需要能够确保隔离并防止噪声传播的器件。车载标准数字隔离器可为当前隔离设备所需的多通道高速通信和高CMTI提供解决方案。

新的隔离器采用东芝专有的磁耦合隔离传输方式，以实现100 kV/μs（典型值）的高CMTI。这不仅实现隔离信号传输中输入和输出间电气噪声的高容限，还确保了稳定的控制信号传输，有助于设备的稳定运行。此外，这些新产品还具有0.8 ns（典型值）的低脉宽失真和50 Mbps（最大值）的数据传输速率，适用于多通道高速通信应用，例如具备SPI通信的I/O接口。

东芝的工业标准数字隔离器产品现已量产，目前其产品线扩展至车载设备领域。未来，东芝将增加这两个领域产品的封装类型和通道数量，并将继续提供高质量隔离器件和光耦，以支持车载设备所需的可靠性和实时数据传输。

        应用：
车载设备
-        电池管理系统（BMS）
-        车载充电器（OBC）
-        逆变器控制

        特性：
-        高共模瞬态抑制：CMTI＝100 kV/μs（典型值）
-        高速数据速率：tbps＝50 Mbps（最大值）
-        低脉宽失真：PWD＝0.8 ns（典型值）
-        四通道支持（请参见具体器件的主要规格）：
正向四通道，反向零通道；正向三通道，反向一通道；正向两通道，反向两通道

        主要规格：
（除非另有说明，Topr＝–40 °C至125 °C）


           器件型号  DCM341L01  DCM341H01  DCM341A01  DCM341B01
  通道数  4
  （正向：反向）  （3:1）
  默认输出逻辑  低  高  低  高
  使能控制  输出使能  输入禁用
  封装  SOIC16-W
  绝对最大额定值  工作温度Topr（°C）  –40至125
  存储温度Tstg（°C）  –65至150
  隔离电压  t＝1分钟，Ta＝25 °C  最小值  5000
  BVS（Vrms）
  电气特性  共模瞬态抑制  VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，  典型值  100
  CMTI（kV/μs）  VCM=1500 V
  数据速率  VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V  最大值  50
  tbps（Mbps）
  脉宽失真  典型值  0.8
  PWD（ns）
  传输延迟时间  10.9
  tPHL、tPLH（ns）
  库存查询与购买  在线购买  在线购买  在线购买  在线购买


（除非另有说明，Topr＝–40 °C至125 °C）

         器件型号  DCM340C01  DCM340D01  DCM340L01  DCM340H01
  通道数  4
  （正向：反向）  （4:0）
  默认输出逻辑  低  高  低  高
  使能控制  无  输出使能
  封装  SOIC16-W
  绝对最大额定值  工作温度Topr（°C）  –40至125
  存储温度Tstg（°C）  –65至150
  隔离电压  t＝1分钟，Ta＝25 °C  最小值  5000
  BVS（Vrms）
  电气特性  共模瞬态抑制  VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM=1500 V  典型值  100
  CMTI（kV/μs）
  数据速率  VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5V  最大值  50
  tbps（Mbps）
  脉宽失真  典型值  0.8
  PWD（ns）
  传输延迟时间  10.9
  tPHL、tPLH（ns）
  库存查询与购买  在线购买  在线购买  在线购买  在线购买


（除非另有说明，Topr＝–40 °C至125 °C）

         器件型号  DCM342L01  DCM342H01
  通道数  4
  （正向：反向）  （2:2）
  默认输出逻辑  低  高
  使能控制  输出使能
  封装  SOIC16-W
  绝对最大额定值  工作温度Topr（°C）  –40至125
  存储温度Tstg（°C）  –65至150
  隔离电压  t＝1分钟，Ta＝25 °C  最小值  5000
  BVS（Vrms）
  电气特性  共模瞬态抑制  VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM＝1500 V  典型值  100
  CMTI（kV/μs）
  数据速率  VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V  最大值  50
  tbps（Mbps）
  脉宽失真  典型值  0.8
  PWD（ns）
  传输延迟时间  10.9
  tPHL、tPLH（ns）
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注：

测试条件：VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM＝1500 V，Topr＝–40 °C至125 °C
测试条件：VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，Topr＝–40 °C至125 °C