三星在ISSCC 2025上宣布LPDDR5X速率突破12.7Gbps

在2025年国际固态电路会议（ISSCC）上，三星电子宣布推出LPDDR5规范的最新扩展版本，将LPDDR5X内存的传输速率从当前10.7Gbps提升至12.7Gbps，再次刷新移动内存性能纪录。这一突破性进展得益于两项专有电路级技术——“四相自校准环路”和“AC耦合收发器均衡技术”，为下一代智能手机、AI边缘计算及高性能计算设备提供更强支持。

技术突破与产品细节

三星此次推出的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片，采用行业标准的1.05V电压，基于第五代10纳米级DRAM工艺制造，容量为16Gb。通过四相自校准技术，三星解决了高速传输中的时钟相位偏差问题，确保四个内部时钟相位（0°、90°、180°、270°）精确对齐，从而提升信号完整性。同时，AC耦合收发器均衡技术通过增强时钟信号、平衡接收器并预加重发射器，进一步优化了高速数据传输的稳定性。



在性能测试中，该芯片在12.7Gbps速率下仍能保持可靠运行，且在0.9V低电压下可稳定支持10.7Gbps速率，展现了优异的能效比。读取和写入裕量分别达到0.71和0.68单位间隔，信号完整性表现突出。

应用场景与行业影响

三星表示，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM将优先应用于AI、增强现实（AR）、虚拟现实（VR）及边缘服务器领域。其高带宽和低功耗特性，可显著提升AI模型的推理速度，并支持高分辨率多媒体内容的实时处理。此外，该技术还将为笔记本电脑、平板电脑等移动设备带来更流畅的用户体验和更长续航。

未来展望

此次技术升级标志着三星在LPDDR5X领域的持续领导地位。自2019年LPDDR5规范推出以来，三星已通过多次迭代将速率从6.4Gbps提升至12.7Gbps。随着LPDDR5-Ultra-Pro DRAM的量产，预计2025年下半年相关产品将逐步上市，为全球半导体产业链注入新动能。

关于ISSCC 2025​

国际固态电路会议（ISSCC）是全球半导体领域最具影响力的学术会议之一，2025年会议聚焦于低功耗、高性能计算及先进封装技术，三星此次发布进一步巩固了其在移动内存市场的优势地位。