长江存储出货第五代3D TLC NAND闪存

据国外媒体报道，半导体制造商长江存储（YMTC）近日宣布，已开始正式出货其第五代3D TLC NAND闪存产品。这款创新的存储芯片不仅采用了先进的Xtacking 4.0架构，而且在结构上实现了294层堆叠，并拥有232个有源层，标志着长江存储在3D NAND闪存技术领域的又一重大突破。

长江存储的第五代3D TLC NAND闪存，通过Xtacking 4.0架构的引入，显著提升了存储密度和I/O性能。Xtacking 4.0架构利用了混合键合技术，将闪存阵列与CMOS逻辑和接口高效连接，从而优化了存储单元的布局，最大限度地提高了存储密度。据业内人士透露，该闪存的位密度已超过20Gb/mm²，虽然略低于铠侠和西部数据BiCS8 QLC NAND闪存的22.9Gb/mm²，但这一成就已经使长江存储在全球NAND市场中占据了有力竞争地位。

长江存储的第五代3D TLC NAND闪存不仅在存储密度上有所提升，还在读写性能和能效方面取得了显著进步。Xtacking 4.0架构的引入带来了多项技术创新，如Centered X-DEC芯片设计、背面源极连接（BSSC）、减小垂直栅极间距、20个无虚设孔的垂直通道孔设计等，这些创新共同提升了闪存的性能和可靠性。此外，相对较小的芯片尺寸和增加的位密度也意味着在相同空间内可以存储更多数据，这对于满足当前和未来数据存储需求具有重要意义。

此次长江存储第五代3D TLC NAND闪存的出货，不仅是对公司技术实力的证明，也为中国半导体产业的崛起注入了新的动力。随着技术的不断进步和市场的不断拓展，长江存储有望在全球NAND闪存市场中占据更加重要的位置。