LMP92066PWPR/DRV10983ZPWPR原理图，IKA15N60T/STGB19NC60KDT4绝缘栅双极晶体管（IGBT）规格

LMP92066PWPR 是一款高度集成的温控型双 DAC。两个 DAC 均可通过存储在内部 EEPROM 中的两个独立的、用户定义的温度-电压转换函数进行编程，从而无需额外的外部电路即可校正任何温度影响。
LMP92066PWPR DAC原理图

特点
Intermal 12 位温度传感器
精度（- 40°C 至 120°C），+3.2°C
EEPROM 中存储两个独立的传输函数
双模拟输出
两个 12 位 DAC
输出范围 0 V 至 5 V 或 0 V 至 5 V
耐高电容负载，高达 10 μF
校准后精度 +2.4 mV（典型值）
输出开/关控制开关时间 50 ns
开关时间 50 ns（典型值）
RDSON 5 Q（最大值）
IC 接口： 标准和快速
九个可选从机地址
超时功能
VDD 电源范围 4.75 V 至 5.25 V
指定温度范围 - 25°C 至 120°C
工作温度范围 - 40°C 至 125°C

应用
GaN 或 LDMOS PA 偏压控制器
传感器温度补偿
定时电路温度补偿

明佳达LMP92066PWPR DAC、DRV10983ZPWPR BLDC电机驱动器，IKA15N60T/STGB19NC60KDT4绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
DRV10983ZPWPR器件是一款具有集成功率 MOSFET 的三相无传感器电机驱动器，可提供高达 2A 的持续驱动电流。该器件专为成本敏感型、低噪声、低外部组件数量 应用而设计低功耗是一个关键问题。该器件采用专有无传感器控制方案来提供持续正弦驱动，可大幅降低换向过程中通常会产生的纯音。该器件的接口设计简单而灵活。可直接通过 PWM、模拟、或 I2C 输入控制电机。可通过 FG 引脚或 I2C 提供电机速度反馈。
DRV10983ZPWPR器件安全功能包括 一个集成降压稳压器，可高效地将电源电压降至 5V 或 3.3V，从而为内外部电路供电。该器件提供睡眠模式和待机模式两种型号，可在电机停止运转时实现节能。待机模式 (3mA) 型号会使稳压器保持运行，而休眠模式 (180μA) 型号会使稳压器停止工作。在使用稳压器 为外部 微控制器供电的应用中使用待机模式型号。

特性
输入电压范围：8 至 28V
总驱动器 H + L rDS(on)：250mΩ
驱动电流：2A 持续绕组电流（峰值 3A）
无传感器专有反电动势 (BEMF) 控制方案
连续正弦 180° 换向
无需外部感测电阻
用户可通过添加外部感应电阻以灵活监视为电机提供的功率
灵活的用户接口选项：
I2C 接口：访问命令和反馈寄存器
专用的 SPEED 引脚：接受模拟或 PWM 输入
专用的 FG 引脚：提供 TACH 反馈
可通过 EEPROM 定制旋转曲线
使用 DIR 引脚进行正向/反向控制
集成了降压稳压器，可高效地为内部和外部电路提供电压 (5V 或 3.3V)
电源电流为 3mA 待机型号 (DRV10983)
电源电流为 180 μA 睡眠型号 (DRV10983Z)
过流保护
锁定检测
电压浪涌保护
欠压闭锁 (UVLO) 保护
热关断保护
耐热增强型 24 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP)

应用
• 设备风扇
• 制热、通风与空调控制 (HVAC)

DRV10983ZPWPR BLDC 电机驱动器原理图


IKA15N60T是一款高性能绝缘栅双极晶体管（IGBT），属于 TRENCHSTOP™ 系列。该芯片集成了一个 600V、15A 的 IGBT 和一个反向并联的快速恢复发射极控制二极管，采用 TO-220 Full-Pak 封装。

参数
集电极-发射极电压：600V
直流集电极电流：15A（TC = 25°C），10.6A（TC = 100°C）
脉冲集电极电流：45A
二极管正向电流：17.2A（TC = 25°C），10.8A（TC = 100°C）
二极管脉冲电流：45A
栅极-发射极电压：±20V
短路耐受时间：5μs（VGE = 15V, VCC ≤ 400V, Tj ≤ 150°C）
最大功耗：35.7W（TC = 25°C）
工作结温：-40°C 至 +175°C
存储温度：-55°C 至 +150°C
隔离电压：2500Vrms

特点
非常低的 VCEsat：1.5V（典型值）
低开关损耗
易于并联开关：由于 VCEsat 的正温度系数
非常软、快速恢复的反向并联发射极控制二极管
高鲁棒性，温度稳定的行为
低电磁干扰（EMI）
低栅极电荷
参数分布非常紧密

应用
空调
逆变器


STGB19NC60KDT4是一款高性能绝缘栅双极晶体管（IGBT），属于 600V IGBT with Trench Technology 系列。该芯片集成了一个 600V、20A 的 IGBT 和一个反向并联的快速恢复二极管，采用 D2PAK 封装。这些器件是采用先进的 PowerMESH™ 技术开发的超高速 IGBT。这种工艺保证了开关性能和低导通行为之间的出色权衡。

功能
低导通压降 (VCE(sat))
CRES / CIES 比率低（无交叉传导电感）
短路耐压时间 10 μs
与超高速续流二极管共同封装的 IGBT

规格
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
技术: Si
封装 / 箱体: D2PAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 35 A
Pd-功率耗散: 125 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
集电极最大连续电流 Ic: 35 A
高度: 4.6 mm
长度: 10.4 mm

应用
高频逆变器
电机驱动器