Rapidus宣布日本首台大规模生产EUV光刻机交付并开始安装

12月19日，日本先进逻辑半导体制造商Rapidus宣布，其购入的首台ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻机已在位于北海道千岁市的IIM - 1晶圆厂完成交付并启动安装。这一事件标志着日本首次引入用于大规模生产尖端半导体的EUV（极紫外）光刻系统。

在交付安装当天，众多重要人物出席了在北海道新千岁机场举行的纪念仪式，包括Rapidus首席执行官、日本政府代表、北海道及千岁市地方政府代表、ASML高管以及荷兰驻日本大使等。

Rapidus总裁兼首席执行官表示：“我们非常高兴能够迎来这一里程碑式的时刻。通过引入ASML最先进的EUV技术，我们将为客户提供更高性能、更小尺寸的半导体解决方案，同时也为日本半导体产业注入新的活力。”

据悉，ASML TWINSCAN NXE:3800E是ASML EXE系列0.33 (Low) NA EUV光刻机的最新型号。该型号的光刻机能够满足Rapidus首代量产工艺2nm的制造需求。其特别之处在于与0.55 (High) NA EXE平台共享部分组件，而且相较于之前的NXE:3600D光刻机，其晶圆吞吐量提升了37.5%。

除了核心的EUV光刻机外，Rapidus还有进一步的生产布局计划。Rapidus将在IIM - 1晶圆厂安装一系列配套先进半导体制造设备以及全自动材料处理系统，旨在实现2nm制程GAA（全环绕栅极）结构半导体的生产。如果Rapidus试产2nm芯片顺利，还计划在接下来的第二间工厂内采用1.4nm工艺，届时预计将加大EUV光刻机的购买量。

此次ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻机在日本的交付安装，有望提升日本在国际先进半导体制造领域的竞争力，并且对全球半导体产业的布局和发展产生积极影响。