美国商务部与德国博世达成初步协议，推动加州碳化硅功率半导体生产

美国商务部于12月13日正式宣布，已与德国知名汽车零部件供应商博世（Bosch）达成初步协议。根据该协议，美国商务部将向博世提供最高达2.25亿美元的补贴，以支持其在加利福尼亚州生产碳化硅（SiC）功率半导体。

此次补贴旨在促进博世在加州罗斯维尔市（Roseville）投资19亿美元的项目，该项目将对其现有的制造工厂进行改造和升级，专注于生产碳化硅功率半导体。碳化硅芯片作为一种新型半导体材料，具有出色的能效和高温稳定性，对电动车、电信以及国防产业等领域具有重大意义。

根据协议内容，博世将利用这笔补贴资金，加快其碳化硅功率半导体厂的兴建和运营计划。此外，美国商务部还提议为博世提供约3.5亿美元的政府贷款，以进一步支持这一重要项目的实施。

博世北美总裁Paul Thomas在声明中表示：“这笔罗斯维尔投资案，让博世能够在本地生产碳化硅芯片，从而在电气化之路上，更好地支持美国消费者。”他强调，碳化硅芯片的应用将显著提升电动车的驾驶与充电效率，助力美国电动汽车产业的发展。

美国商务部表示，碳化硅芯片的耗能较少，对提高电动车的能效至关重要。博世在加州新建的半导体厂，预计将在2026年开始以200毫米（8英寸）晶圆生产芯片。该工厂在产能全开时，将占据全美碳化硅芯片制造产能超过40%的比重，对提升美国在全球半导体产业中的地位具有重要意义。