IBM与Rapidus携手展示多阈值电压GAA晶体管研发成果，有望推动2nm制程量产

近日，在2024 IEEE IEDM国际电子器件会议上，国际商业机器公司（IBM）与日本先进芯片制造商Rapidus共同展示了双方合作研发的多阈值电压（MultiVt）GAA晶体管成果。这一技术突破有望为Rapidus的2nm制程量产奠定坚实基础。

随着芯片技术的不断进步，传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）结构即将被更为先进的GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）取代。这一转变对芯片制程迭代带来了新的挑战，特别是在2nm制程下，如何实现多阈值电压，使芯片能够在较低电压下执行复杂计算，成为亟待解决的问题。

IBM表示，在2nm名义制程下，N型和P型半导体通道之间的距离相当狭窄，需要精确的光刻技术才能在实现多阈值电压的同时，不对半导体的性能产生巨大影响。为此，IBM与Rapidus联合开发了两种不同的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，成功克服了技术瓶颈。

在展示中，IBM详细描述了其在多阈值电压GAA晶体管方面的研究成果。IBM研究院的高级技术人员指出，与FinFET相比，Nanosheet纳米片的结构非常不同，技术复杂度也显著提升。然而，IBM提出的新生产工艺比以往使用的方法更为简单，这将使Rapidus在计划大规模生产2纳米片技术时，能够更轻松地克服技术障碍，确保生产进度。

Rapidus作为日本先进的芯片制造商，一直致力于推动半导体技术的创新与发展。此次与IBM的合作，不仅展现了Rapidus在芯片研发方面的实力，也为其未来的2nm制程量产提供了有力支持。

多阈值电压GAA晶体管的成功研发，不仅标志着芯片技术的重大进步，更为即将到来的2nm制程量产奠定了基础。这一技术突破有望广泛应用于智能手机、个人电脑、云计算和人工智能等领域，推动诸多领域的创新与发展，改变人们的生活方式和工作模式。