三星电子成功完成突破性400层NAND技术开发

近日，三星电子宣布，其半导体研究所已成功完成了一项具有里程碑意义的研发——突破性400层NAND技术的开发。

据悉，三星电子于今年早些时候开始着手研发400层NAND技术，并在短时间内取得了显著的进展。该技术涉及垂直堆叠存储单元，通过增加存储单元的层数，大幅度提高了存储密度和效率。相比传统的平面（2D）NAND技术，3D NAND技术具有更高的存储性能和更低的能耗，是当前存储技术发展的重要方向。

三星电子在400层NAND技术的研发过程中，引入了“三重堆叠”技术，将存储单元堆叠成三层，这一创新使得存储单元的堆叠更加紧密，进一步提升了存储性能。该技术的成功研发，不仅为三星电子在NAND闪存市场占据领先地位提供了有力支持，也为未来存储技术的发展奠定了坚实基础。

值得一提的是，三星电子计划于2025年2月在美国举行的国际固态电路会议（ISSCC）上，提供有关其1Tb容量400层三级单元（TLC）NAND的详细公告。此外，三星电子还计划于明年下半年开始量产这种先进的NAND闪存，以满足市场对高性能存储解决方案的需求。

随着全球大数据、人工智能等技术的快速发展，对存储技术的需求也在不断增长。三星电子此次成功研发的400层NAND技术，将有助于提高数据存储的密度和效率，满足日益增长的存储需求。同时，该技术的成功也将为三星电子在全球半导体市场中的竞争提供有力支持。

除了400层NAND技术，三星电子还在不断扩展其先进产品线的产量。在平泽园区，三星电子计划安装新的第9代（286层）生产设施，该设施预计每月产能将达到3万至4万片晶圆。此外，三星电子的西安工厂也将继续将128层（V6）NAND生产线转换为236层（V8）产品工艺，以进一步提升生产效率。