Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET

器件占位面积小，采用BWL设计，ID高达795 A，可提高功率密度，而且低至0.21 C/W的RthJC可优化热性能

威世科技Vishay 推出采用PowerPAK 10x12封装的新型40 V TrenchFET 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。



日前发布的这款器件在10 V电压下的典型导通电阻低至0.34 m，最大限度减少了传导造成的功率损耗，从而提高了效率，同时通过低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了热性能。SiJK140E允许设计人员使用一个器件（而不用并联两个器件）实现相同的低导通电阻，从而提高了可靠性，并延长了平均故障间隔时间（MTBF）。

MOSFET采用无线键合（BWL）设计，最大限度减少了寄生电感，同时最大限度提高了电流能力。采用打线键合（BW）封装的TO-263-7L解决方案电流限于200 A，而SiJK140E可提供高达795 A的连续漏极电流，以提高功率密度，同时提供强大的SOA功能。与TO-263-7L相比，器件的PowerPAK 10x12封装占位面积为120 mm2，可节省27 %的PCB空间，同时厚度减小50 %。

SiJK140E非常适合同步整流、热插拔和OR-ing功能。典型应用包括电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。为了避免这些产品出现共通，标准级FET提供了2.4Vgs的高阈值电压。MOSFET符合RoHS标准且无卤素，经过100 % Rg和UIS测试。

PPAK10x12与 TO-263-7L规格对比


        产品编号  SiJK140E  SUM40014M  性能改进
  封装  PowerPAK10x12  TO-263-7L  -
  尺寸 (mm)  10 x 12   10.4 x 16  27%
  高度  2.4  4.8  50%
  VDS (V)  40  40  -
  VGS (V)  ± 20  ± 20  -
  配置  单  单  -
                VGSth  (V)  最小值  2.4  1.1  118%
  RDS(on) (mΩ) @ 10 VGS  典型值  0.34  0.82  58%
  最大值  0.47  0.99  53%
  Qg (nC)  @ 10 VGS  典型值  312  182  -
  FOM  -  106  149  29%
  ID  (A)   最大值  795  200  397%
  RthJC (C/W)  最大值  0.21  0.4  47%


SiJK140E现可提供样品并已实现量产，订货周期为36周。